[发明专利]形成光伏电池的方法与系统以及光伏电池无效
| 申请号: | 201110190354.3 | 申请日: | 2011-06-30 |
| 公开(公告)号: | CN102315289A | 公开(公告)日: | 2012-01-11 |
| 发明(设计)人: | J·M·弗里 | 申请(专利权)人: | 初星太阳能公司 |
| 主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/0328;H01L31/18 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 柯广华;朱海煜 |
| 地址: | 美国科*** | 国省代码: | 美国;US |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 形成 电池 方法 系统 以及 | ||
技术领域
本发明针对光伏电池以及用于形成光伏电池的方法与系统。更特别地,本发明针对具有顶冒轮廓以用于选择性去除多个层的一个或者多个的光伏电池以及方法、系统。
背景技术
能量需求不断地增加。随着能量需求的增加,替代化石燃料能源的源的重要性增加。一种这样的替代能源是太阳能。一般地,太阳能通过将辐射(如,日光)转换成可被存储或者通过电力网被传输的电来产生。
激光划刻系统可被用在对用于产生太阳能的光伏模块的单片集成电路进行划刻的过程中。传统的射束轮廓包括高斯射束轮廓并且可在划刻中生成相当大的热和/或导致大的热影响区(HAZ)。HAZ在划刻附近的区域中由于暴露给不足以去除材料的射束积分通量而导致不希望的材料变更或者损坏。为了提供希望的划刻,较大的高斯轮廓射束被用于产生划刻。较大的高斯轮廓射束可导致较大的被划刻或者被热影响的光伏电池的区域。
大的高斯轮廓射束的利用影响光伏模块的较大区域,从而导致需要在光伏电池的温度敏感部分之间有另外的材料。该另外的材料可减少效率和/或性能,并且导致增加的成本。大的热影响区还通过增加短路的机会和/或增加材料被不利改性的机会而增加光伏电池故障的风险。
本领域中将期望有这样的光伏电池、形成光伏电池的方法、以及用于形成光伏电池的系统,其中该方法、系统、以及光伏电池具有顶帽轮廓射束,其用于多个层的一个或者多个的选择性的去除,因此减少或者消除材料改性(比如热影响区)。
发明内容
在一个示例性的实施例中,光伏电池:包括多个层,在多个层内布置的划刻,以及从多个层界定该划刻的侧壁。在实施例中,侧壁的至少一部分包括基本与该多个层一致的材料特性。
在另一示例性的实施例中,形成光伏电池的方法包括提供多个层并且将来自激光器的能量导向多个层以及选择性地去除多个层的一个或者多个以形成划刻。在实施例中,从多个层通过侧壁界定划刻,并且侧壁的至少一部分包括基本与该多个层一致的材料特性。
在另一示例性的实施例中,形成光伏电池的系统包括光伏电池定位机构,激光器定位机构、以及激光器。光伏电池定位机构被配置成定位光伏电池的多个层。激光器定位机构被配置成将来自激光器的能量导向多个层以通过多个层的一个或者多个的选择性的去除而形成划刻。在该实施例中,该划刻从多个层通过侧壁来界定,并且侧壁的至少一部分包括基本与该多个层一致的材料特性。
附图说明
图1示出根据本公开的安置在基底上的薄膜模块。
图2是根据本公开的构成模块的电池的层系统的图表。
图3是根据本公开用于形成模块的示例性的过程的过程流程图。
图4示出图1的薄膜模块的放大区域400。
图5示出在图4的方向5-5上选取的剖视图。
图6是根据本公开用于形成互连的示例性过程的过程流程图。
图7是用于形成划刻的系统的示意图。
无论可能与否,相同的参考数字将遍及附图被用于代表相同的部分。
具体实施方式
提供了光伏电池、形成光伏电池的方法以及用于形成光伏电池的系统。该方法、系统以及光伏电池的实施例涉及顶冒轮廓,其用于多个层的一个或者多个的选择性的去除,因此减少或者消除材料改性(比如热影响区)。
本公开的实施例可包括材料的均匀去除(例如,通过烧蚀和/或蒸发)、划刻侧壁的改进控制、热影响区的改进控制、和/或减少的由于划刻造成的电池缺陷。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于初星太阳能公司,未经初星太阳能公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110190354.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种颈动脉线圈
- 下一篇:一种光纤法珀电压传感器
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





