[发明专利]一种倒置太阳能电池制作方法

权利要求书

1.一种倒置太阳能电池制作方法，其包括如下步骤：

（1）提供一生长衬底；

（2）在所述生长衬底表面沉积一层SiO₂掩膜层，形成图形化衬底；

（3）在图形化衬底上外延生长一层牺牲层，所述牺牲层将整个SiO₂掩膜图形包围起来；

（4）在牺牲层上外延生长一缓冲层；

（5）在缓冲层上外延生长倒置太阳能电池的半导体材料层序列；

（6）将前述倒置太阳能电池的半导体材料层序列与支撑基板键合；

（7）采用湿法蚀刻选择性腐蚀掉SiO₂掩膜层；

（8）采用湿法蚀刻选择性腐蚀掉牺牲层，剥离衬底。

2.根据权利要求1所述的一种倒置太阳能电池制作方法，其特征在于：所述步骤（1）中生长衬底的材料为Ge或GaAs。

3.根据权利要求1所述的一种倒置太阳能电池制作方法，其特征在于：所述步骤（2）中形成的SiO₂掩膜层的图形为单方向平行，或者纵横交错，或者彼此交叉。

4.根据权利要求1所述的一种倒置太阳能电池制作方法，其特征在于：所述步骤（3）中半导体牺牲层的材料为InGaP。

5.根据权利要求1所述的一种倒置太阳能电池制作方法，其特征在于：所述步骤（3）中半导体牺牲层的材料为AlGaAs。

6.根据权利要求1所述的一种倒置太阳能电池制作方法，其特征在于：所述步骤（6）中的支撑基板为Si片。

7.根据权利要求1所述的一种倒置太阳能电池制作方法，其特征在于：所述步骤（6）包括如下步骤：

　　在倒置太阳能电池的半导体材料层表面沉积一第一金属键合层；

    提供一Si片作为支撑基板，在其表面形成一层高掺杂覆盖层；

在覆盖层上沉积一第二金属键合层；

通过键合工艺将倒置太阳能电池的半导体材料层序列和Si片粘结在一起；

其中覆盖层的材料为InGaAs或GaAs。

8.根据权利要求1所述的一种倒置太阳能电池制作方法，其特征在于：所述步骤（7）中采用氢氟酸选择性腐蚀掉SiO₂掩膜层。

9.根据权利要求1所述的一种倒置太阳能电池制作方法，其特征在于：所述步骤（7）中采用氟化铵选择性腐蚀掉SiO₂掩膜层。

10.根据权利要求1所述的一种倒置太阳能电池制作方法，其特征在于：所述步骤（8）中采用盐酸与磷酸体积比1∶2作为选择性蚀刻液，蚀刻牺牲层。