[发明专利]磁记录介质及磁记录装置

说明书

技术领域

本发明涉及可进行大容量的信息记录的磁记录介质、特别是适于高密度记录的图案化介质、磁记录介质及使用其的磁记录装置。

背景技术

近年来，不仅个人计算机，家庭用的电气化产品中也搭载小型而大容量的磁盘装置等，磁记录装置的大容量化的要求强烈，要求提高记录密度。为了应对这种情况，正在努力开发磁头及磁记录介质等。原本一直在谋求提高面记录密度，但目前开始要求缩减尺寸或记录密度远超过以往的飞跃性的提高。因此，提出了用槽或非磁性体分离邻接的记录磁道来抑制磁道间的磁性干涉的分离磁道介质(例如，参照专利文献1)以及用槽或非磁性体分离邻接的记录位来抑制位间的磁性干涉的图案化介质(例如，参照专利文献2)。

在磁记录介质中，为了确保磁头的上浮稳定性，重视表面的平坦性。在面记录密度高、记录磁畴小的分离磁道介质或图案化介质的情况下，表面的平坦性特别重要，因此用非磁性体填充磁性体区域间的槽。进而，与现有的记录介质同样，即使在分离磁道介质或图案化介质中，为了保护记录层及吸附润滑剂，一般是在记录层之上形成碳系材料的保护膜。碳系材料中，由于类金刚石碳(以下称作DLC)是无定形的，表面平滑性优异，耐久性、耐腐蚀性也优异，所以常常被利用(例如，参照专利文献3)。

另一方面，在分离磁道介质或图案化介质的可靠性的改善方面，由利用干蚀刻等对磁性膜进行凹凸加工时的损伤引起的腐蚀及起因于记录层的磁性区域或非磁性区域的极微小的间隙或缺陷的腐蚀的问题很明显。列举现有的耐腐蚀性改善技术的例子时，对于垂直磁记录介质，提出了关于腐蚀成为很大问题的软磁性基底层，通过选择作为其上层的种子层(seed layer)的材料或结构的组合，使耐腐蚀性改善(例如专利文献4)。进而，对于分离磁道介质或图案化介质，也提出了通过在记录层和保护膜之间形成导电膜而抑制磁性体区域的腐蚀(例如专利文献5)。

[现有技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本特开平7-85406号公报(图1)

[专利文献2]日本特许第3286291号公报(段落编号[0025])

[专利文献3]日本特开2006-120222号公报(段落编号[0025])

[专利文献4]日本特开2007-184019号公报(图1)

[专利文献5]日本特开2006-228282号公报(段落编号[0051])

发明内容

发明要解决的课题

然而，为了抑制磁性体区域的腐蚀而在其上层形成保护膜时，磁头和磁记录介质的磁性距离增加，磁记录特性变差。另一方面，为了改善磁特性而促进保护膜的薄膜化时，难以获得从耐腐蚀性的观点考虑满足产品性能的结果。即，判明在现有公知的磁记录层的磁性体区域的防腐蚀技术中，存在不能兼顾高磁记录特性和耐腐蚀性这样的问题。

本发明的第一目的在于，实现磁记录特性和耐腐蚀性优异的磁记录介质、特别是分离磁道介质及图案化介质。

本发明的第二目的在于，提供充分发挥该分离磁道介质或图案化介质的性能的磁记录装置。

用于解决课题的手段

为了实现上述的目的，使涂布在保护膜上的润滑层具有耐腐蚀性是很重要的。对此，大致区分有以下两种方法。

(1)关于分离磁道介质或图案化介质，在涂布在保护膜上的润滑层中使润滑剂和对钴或钴合金具有抑制腐蚀作用的化合物共存。

(2)涂布用对钴或钴合金具有抑制腐蚀作用的官能团修饰表现出润滑特性的化合物的至少一个末端而成的润滑剂。

上述磁记录介质的记录层中腐蚀问题严重的是磁性体区域使用的Co系合金。Co系合金不仅耐腐蚀性不优异，而且由于在水溶液环境中带有非常低的电位，与邻近的金属之间发生电偶腐蚀(不同种类金属间腐蚀)。在颗粒型磁记录层的情况下，为了促进氧化物向记录层的晶界偏析，在记录层的底层形成Ru或Ru合金。在作为记录层的加工部的凹部，因加工损伤而露出Ru或Ru合金层与记录层的接触部的情况下，由于Ru或Ru合金是贵金属，因此电位非常高，所以记录层的Co合金发生电偶腐蚀，比单质的腐蚀更迅速。另外，对分离磁道介质或图案化介质而言，由于利用干蚀刻等对磁性膜进行凹凸加工时受到损伤，因此磁性体区域的腐蚀加速这样的问题更明显。在这一方面，发现：要抑制加工部中的作为记录层的磁性体区域的腐蚀，通过在加工部中的记录层的磁性体区域将对钴或钴合金呈现抑制腐蚀作用的有机物设置于涂布在润滑保护膜上的润滑层中，可以防止因不同种类金属接触引起的腐蚀或因加工损伤引起的腐蚀。这种情况下，选定的有机物的特性很重要。