[发明专利]晶片加工用胶带和使用其的半导体加工方法

权利要求书

1.一种晶片加工用胶带，其为在由支持基材和粘合剂层构成的粘合带的该粘合剂层上层积了含有具有环氧基的化合物的热固性接合剂层的晶片加工用胶带，该晶片加工用胶带的特征在于：

上述支持基材由将乙烯-(甲基)丙烯酸二元共聚物或乙烯-(甲基)丙烯酸-(甲基)丙烯酸烷基酯三元共聚物用金属离子交联而成的离聚物树脂构成；

上述共聚物中的上述(甲基)丙烯酸成分的重量分数为1％以上且不足10％，并且上述离聚物树脂中的上述(甲基)丙烯酸的中和度为50％以上。

2.如权利要求1所述的晶片加工用胶带，其特征在于，所述粘合剂层具有一层或者二层以上的结构，其中的至少一层由能量射线固化型粘合剂形成。

3.一种半导体加工方法，其为使用权利要求1或2所述的晶片加工用胶带的半导体加工方法，该半导体加工方法的特征在于，其具备如下工序：

将半导体晶片贴合至所述晶片加工用胶带的工序；

接下来使用高速旋转的薄型磨石对所述半导体晶片以及所述晶片加工用胶带的所述接合剂层和所述粘合剂层进行切削，同时对该晶片加工用胶带的所述支持基材在厚度方向切削10μm以上，对该半导体晶片和该接合剂层进行单片化的工序；以及

然后，在上述晶片加工用胶带的上述粘合带扩张的状态下，一片片地拾取单片化的上述半导体晶片的工序。

4.如权利要求3所述的半导体加工方法，其特征在于：

所述支持基材的厚度为60μm以上；

在所述单片化工序中，对所述支持基材在厚度方向切削10～30μm。