[发明专利]具有调节接地节点的存储器单元、阵列及其存取方法

说明书

技术领域

本发明涉及存储器，尤其涉及具有调节接地节点(regulated ground nodes)的存储器。

背景技术

在先进技术(例如0.13纳米工艺或小于0.13纳米的工艺)中，噪声可大大影响静态随机存取存储器(static random access memory，以下简称为SRAM)的写入电压跳脱点(例如足以将数据写入节点的位元线上电压)，尤其是在低操作电压中(例如VCC较低电压0.65V，相对于VCC标称电压0.85V)。噪声限制SRAM操作电压的范围并增加功率消耗，因为SRAM需要使用较高的供应电压VCC。为了改进这种情况，一种方法为在写入操作时使用具有负电压的位元线。尽管如此，此种方法有各种不同的缺点。例如需要电压帮浦电路以提供负电压。电压帮浦的机制通常并不省电，控制负电压的电压电平也不容易，并且因为顺向偏压而具有潜在风险，顺向偏压可造成从位元线到存储器中晶体管基底的漏电流，需要小心的处理并且造成在编译器中使用SRAM的困难。

发明内容

有鉴于此，本揭示的一实施例提供一种存储器通过调节接地节点，以便在各种操作模式中有效运作并节省功率。

本揭示提供一种存储器阵列，包括：多个存储器单元，其配置于多个行以及多个列；其中上述多个列中的一列包括一列接地节点；至少二个电压源，其被配置为选择性地耦接至上述列接地节点；以及多个存储器单元，其具有多个内部接地节点，上述内部接地节点互相电气耦接在一起并且电气耦接至上述列接地节点。

本揭示的另一实施例提供一种从存取存储器单元读取数据的方法，上述存取存储器单元位于一存储器阵列的一存取存储器段的一存取区段的一存取列中，上述存储器阵列具有至少一个存储器段，每一存储器单元具有一内部接地节点，上述至少一个存储器段具有至少一个区段，每一区段具有至少一个列和至少一个行，每一列具有一列内部接地节点，上述列内部接地节点可以电气耦接至至少二个电压源，每一列的上述列内部接地节点耦接至每一列的每一存储器单元的每一内部接地节点，此方法包括：在上述存取区段中将上述至少二个电压源其中之一的一第一电压源电气耦接至上述存取列的一列内部接地节点；以及将上述第一电压源电气耦接至一未存取列的一列内部接地节点。

本揭示的又一实施例提供一种写入存取存储器单元的方法，上述存取存储器单元位于一存储器阵列的一存取存储器段的一存取区段的一存取列中；上述存储器阵列具有至少一个存储器段；每一存储器单元具有一内部接地节点；一个存储器段具有至少一个区段；每一区段具有至少一个列和至少一个行；每一列具有一列内部接地节点，上述列内部接地节点可以电气耦接至至少二个电压源；每一列的上述列内部接地节点耦接至每一列的每一存储器单元的每一内部接地节点，此方法包括：在上述存取区段中将上述至少二个电压源其中之一的一第一电压源电气耦接至上述存取列的一列内部接地节点；以及将上述至少二个电压源其中之一的一第二电压源电气耦接至上述未存取列的一列内部接地节点；上述第一电压源具有一第一电压，其与上述第二电压源的一第二电压不同。

本揭示的再一实施例提供一种设定存储器单元的存储器阵列的其中一列为待命模式的方法；上述存储器单元的存储器阵列配置于行和列；一存储器单元具有一内部接地节点；上述列具有一列内部接地节点，上述列内部接地节点电气耦接至上述列中至少一存储器单元的一内部接地节点以及至少二个电压源，上述方法包括：将上述列的上述列内部接地节点电气耦接至上述至少二个电压源其中之一的一第一电压源；以及供应一第一电压至上述第一电压元上以使上述列中的上述至少一存储器单元具有足以留存储存于上述列中的上述至少一存储器单元的数据的一电压；其中足以留存储存于上述列中的上述至少一存储器单元的数据的上述电压与用以从上述存储器单元的上述存储器单元读取数据或写入数据于此的一操作电压不同。

本揭示的另外一实施例提供一种存储器单元，包括：一电压供应节点：一接地参考节点，其被配置为选择性地耦接至至少二个电压源；以及一交互锁存器，其耦接至上述电压供应节点以及上述接地参考节点。

本发明的存储器通过调节接地节点，能够在各种操作模式中有效运作并节省功率。

附图说明

图1所示为与一些实施例一致的存储器示意图；

图2所示为图1存储器的一存储器段的一部分，并与一些实施例一致；

图3所示为说明电压Vwa如何产生的电路，并与一些实施例一致；

图4所示为操作图1存储器方法的流程图，并与一些实施例一致；