[发明专利]基板承载台、基板处理装置及基板处理系统有效
| 申请号: | 201110185040.4 | 申请日: | 2011-06-28 |
| 公开(公告)号: | CN102315151A | 公开(公告)日: | 2012-01-11 |
| 发明(设计)人: | 小田桐正弥;村木雄介;富士原仁 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/00 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 章蕾 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 承载 处理 装置 系统 | ||
1.一种基板承载台,其供承载基板,且包含:
周缘承载部件,承载所述基板的周缘部并进行温度控制;
中央承载部件,承载所述基板的中央部并进行温度控制;以及
支撑台,支撑所述周缘承载部件及所述中央承载部件;
且,在所述周缘承载部件和所述中央承载部件之间形成有间隙,
所述周缘承载部件和所述中央承载部件相互为非接触。
2.根据权利要求1所述的基板承载台,其特征在于:
在所述基板承载台上承载2片以上的基板,
所述周缘承载部件是由2个以上的周缘部、和使所述周缘部彼此结合的周缘结合部构成,
所述中央承载部件是由形状与所述周缘部的内周对应的2个以上的中央部、和使所述中央部彼此结合的中央结合部构成,
在所述周缘部和所述中央部之间,沿水平方向形成有环状的间隙,
在所述周缘结合部和所述中央结合部之间,沿铅直方向形成有间隙,
所述周缘结合部及所述中央结合部分别结合于所述支撑台。
3.根据权利要求1或2所述的基板承载台,其特征在于:
在所述周缘承载部件及所述中央承载部件的内部,设置有连通到调温介质循环机构的调温通道。
4.一种基板处理装置,其在真空处理空间中处理基板,且包含:
进行基板处理的处理腔室、
对所述处理腔室内进行真空抽吸的排气口、
将处理气体导入到所述处理腔室内的处理气体导入口、以及
承载所述基板的基板承载台,
且,所述基板承载台是由承载所述基板的周缘部并进行温度控制的周缘承载部件、承载所述基板的中央部并进行温度控制的中央承载部件、及支撑所述周缘承载部件与所述中央承载部件的支撑台构成,
在所述周缘承载部件和所述中央承载部件之间形成有间隙,
所述周缘承载部件和所述中央承载部件相互为非接触。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置,其特征在于:
在所述周缘承载部件及所述中央承载部件的内部,设置有连通到制冷剂循环机构的制冷剂通道。
6.根据权利请求4或5所述的基板处理装置,其特征在于:
所述处理腔室包含从所述基板承载台向上方突出且支撑基板的支撑销。
7.一种基板处理系统,其包含搬运基板的搬运部、进行基板处理的处理部、及进行基板加热处理的加热部,
且,所述处理部是由进行基板处理的处理腔室、对所述处理腔室内进行真空抽吸的排气口、将处理气体导入到所述处理腔室内的处理气体导入口、及承载所述基板的基板承载台构成,
所述基板承载台是由承载所述基板的周缘部并进行温度控制的周缘承载部件、承载所述基板的中央部并进行温度控制的中央承载部件、及支撑所述周缘承载部件与所述中央承载部件的支撑台构成,
在所述周缘承载部件和所述中央承载部件之间形成有间隙,
所述周缘承载部件和所述中央承载部件相互为非接触。
8.根据权利请求7所述的基板处理系统,其特征在于:
在所述周缘承载部件及所述中央承载部件的内部,设置有连通到调温介质循环机构的调温通道。
9.根据权利请求7或8所述的基板处理系统,其特征在于:
所述处理腔室包含从所述基板承载台向上方突出且支撑基板的支撑销。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





