[发明专利]多圈排列无载体IC芯片封装件及其生产方法

权利要求书

1.一种多圈排列无载体IC芯片封装件，包括引线框架、内引脚、IC芯片及塑封体，其特征在于所述引线框架采用无载体的引线框架，引线框架四边绕圈排列有引线框架内引脚，所述的IC芯片（3）带有凸点（4），凸点（4）连接在内引脚上。

2.根据权利要求1所述的多圈排列无载体IC芯片封装件，其特征在于所述的绕圈排列的内引脚有第一圈内引脚（8）、第二圈内引脚（9）、第三圈内引脚（16）及第四圈内引脚（18），每圈之间通过中筋（g）和边筋（f）相连接，同一圈的内引脚之间相连接。

3.根据权利要求1或2所述的多圈排列无载体IC芯片封装件，其特征在于所述引线框架每边（a、b、c、d）的内引脚平行排列。

4.根据权利要求3所述的多圈排列无载体IC芯片封装件，其特征在于所述引线框架每边（a、b、c、d）的内引脚交错排列。

5.根据权利要求1或2所述的多圈排列无载体IC芯片封装件，其特征在于所述的IC芯片（3）的凸点（4）连接在第一圈内引脚（8）上。

6.根据权利要求5所述的多圈排列无载体IC芯片封装件，其特征在于所述的IC芯片（3）为倒装上芯。

7.一种如权利要求1所述多圈排列无载体IC芯片封装件的生产方法，其工艺步骤如下：

步骤1： 减薄

带凸点芯片的晶圆厚度为100μm～250μm，粗磨速度：3μm/ s～6μm/s，精磨速度:0.6μm/s～1.0μm/s； 

步骤2：划片   

≤8吋的晶圆采用DISC 3350 或双刀划片机，8吋到12吋晶圆采用A-WD-300TXB划片机，应用防碎片、防裂纹划片工艺软件控制技术，划片进刀速度控制在≤10mm/s；

步骤3：上芯

在厚度为8mil的多圈QFN框架上将带凸点的IC芯片（3）倒装粘片，上芯机采用倒装上芯机，焊料粘合，上芯完成后再进行回流焊，将芯片上的凸点4与框架第一内引脚（8）和第二内引脚（9）牢固结合；

步骤4 ：底部填充&固化

对倒装上芯的半成品，选用热膨胀系数α1＜1的绝缘材料，将下填料加热到80℃～110℃，采用抽真空技术，将凸点（4）与框架焊盘进行底部填充，最后在QFN通用烘箱中将下填料结束后的产品烘烤约15分钟～30分钟；

 步骤5 ：压焊

对带凸点的IC芯片（3）进行压焊，使用金线或铜线两种焊线材料，采用低弧度反向键合方法，弧高控制在80μm以内；

步骤6 ：塑封

选用吸水率≤0.25%）、应力的膨胀系数α1≤1的低吸湿、低应力环保型塑封；

步骤7： 后固化

使用ESPEC烘箱将塑封后的产品进行后固化，采用QFN防翘曲固化夹具，固化条件：温度为150℃，时间：5小时；

步骤8 ：打印

同常规QFN打印；

步骤9： 分离引脚

磨削法分离：

先将打印完的产品框架底部进行腐蚀，腐蚀深度0.04mm～0.06mm，然后磨削, 磨削深度0.065mm～0.045mm，使相邻引脚分离；

步骤10 ：电镀

先电镀一层8μm～10μm的铜，然后再电镀7μm～15μm的纯锡；

 步骤11 ：分离产品

采用双刀切割机，将单元型产品分离成单个产品，在切割分离过程中重点控制防胶体裂纹；

步骤12：产品测试、包装入库

产品测试、包装入库同普通QFN产品。

8.、根据权利要求7所述的多圈排列无载体IC芯片封装件的生产方法，其特征在于所述步骤9的分离引脚采用激光分离。