[发明专利]具有分离间隙阀门密封隔间的负载锁定室无效
| 申请号: | 201110180225.6 | 申请日: | 2007-08-03 |
| 公开(公告)号: | CN102254791A | 公开(公告)日: | 2011-11-23 |
| 发明(设计)人: | 李在珠;栗田真一;苏希尔·安瓦尔 | 申请(专利权)人: | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/677 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;钟强 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 分离 间隙 阀门 密封 隔间 负载 锁定 | ||
1.一种负载锁定室,包括:
一主要组合件,所述主要组合件具有一基板输送腔以及贯穿该主要组合件形成的两个基板进接端口,所述两个基板进接端口流体耦合至该基板输送腔;
一下方基板支撑结构,用以支撑该基板输送腔中的一第一基板;
一上方基板支撑结构,用以支撑该基板输送腔中的一第二基板;
一第一致动器,可操作地控制该下方基板支撑结构的高度;以及
一第二致动器,可操作地控制该上方基板支撑结构的高度,而无论该下方基板支撑结构的高度如何。
2.根据权利要求1所述的负载锁定室,其中该第一致动器通过在该上方基板支撑结构中形成的一形体与该下方基板支撑结构相耦合。
3.根据权利要求1所述的负载锁定室,其中该第一致动器通过该第二致动器与下方基板支撑结构相耦合。
4.根据权利要求1所述的负载锁定室,进一步包括:
一第一间隙阀门密封隔间,所述第一间隙阀门密封隔间具有一孔排列于邻近该些进接端口之一并与该些进接端口成一直线,该第一间隙阀门密封隔间和该主要组合件分离;
一间隙阀门,耦合至该第一间隙阀门密封隔间,并且可操作地开启和关闭该孔;以及
一密封组合件,将该第一间隙阀门密封隔间耦合至该主要组合件。
5.一种基板支撑装置,包括:
封闭一基板输送腔的一个或多个壁,其中所述一个或多个壁中至少其一具有贯穿该壁形成的基板进接端口;
设置于基板输送腔中的两个或多个基板支撑结构,其中该两个或多个基板支撑结构中每个具有基板支撑结构表面,该基板支撑结构表面配置为容纳通过基板进接端口输送的基板;以及
一致动器,该致动器耦合至该两个或更多个基板支撑结构并且配置为相对于该一个或多个壁的一表面来定位该两个基板支撑结构。
6.根据权利要求5所述的基板支撑装置,进一步包括与该一个或多个壁的该表面进行热交流的温度调节板。
7.根据权利要求5所述的基板支撑装置,进一步包括配置为向设置在基板支撑结构表面上的基板传送热的灯。
8.一种负载锁定室,包括:
封闭一基板输送腔的一个或多个壁,其中所述一个或多个壁中至少其一具有贯穿该壁形成的基板进接端口;
一第一基板支撑结构,用以支撑该基板输送腔中的一第一基板;
一第二基板支撑结构,用以支撑该基板输送腔中的一第二基板;
一第一致动器,可操作地控制该第一基板支撑结构相对于该一或多个壁的第一壁的高度。
9.根据权利要求8所述的负载锁定室,进一步包括一第二致动器,所述第二致动器可操作地控制该第二基板支撑结构的高度,而无论该第一基板支撑结构的高度如何。
10.根据权利要求8所述的负载锁定室,进一步包括一板,所述板与该第一壁进行热交流,其中所述板具有用来容纳冷却流体的一或多个通道。
11.根据权利要求10所述的负载锁定室,其中所述第一壁包括一槽,所述第一基板支撑结构可插入该槽中。
12.根据权利要求8所述的负载锁定室,进一步包括用来向基板输送腔传送热的灯。
13.根据权利要求8所述的负载锁定室,进一步包括与所述一或多个壁之一耦合的一或多个气体扩散器,其中该一或多个气体扩散器具有多个孔,所述多个孔配置成将流经该些孔的气体导向设在该第一或第二基板支撑结构上的基板支撑结构表面。
14.根据权利要求8所述的负载锁定室,进一步包括:
一第一间隙阀门密封隔间,所述第一间隙阀门密封隔间具有一孔排列于邻近该进接端口并与该进接端口成一直线,该第一间隙阀门密封隔间和该一或多个壁分离;
一间隙阀门,耦合至该第一间隙阀门密封隔间,并且可操作地开启和关闭该孔;以及
一密封组合件,将该第一间隙阀门密封隔间耦合至该一或多个壁。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





