[发明专利]将单晶硅薄片用强脉冲离子束改性为LED衬底的碳化硅材料的方法

权利要求书

1. 将单晶硅薄片用强脉冲离子束改性为LED衬底的碳化硅材料的方法，其特征在于：所述的方法包括以下步骤：

（a）、将单晶硅（Si）加工成薄片状，并置于真空系统的强脉冲离子束靶座前；

(b)、采用石墨（C）作为注入用离子源发射体，置于强脉冲离子束的相应位置，清洁处理真空系统中的所有零部件；

(c)、检查真空系统的加热系统、检测系统、冷却系统、电源系统、水路、油路、气路、磁路和电路是否正常畅道；

(d)、启动真空系统，预抽真空使真空度达8x10^-4Pa以上，通入适当氩气 ；

(e)、将真空系统档板遮蔽单晶硅（Si）薄片，启动强脉冲离子束，将含有氧化物和附吸杂质的第一个脉冲轰击在挡板上，以清洗石墨离子源发射体和挡板；

(f)、关闭氩气，移开挡板，开启真空系统机械扫描系统，用强脉冲离子束对单晶硅薄片正反二面注入C⁺;

(g)、完成强脉冲离子束注入任务后，开启真空系统大功率红外加热器，用800℃的高温退火以消除辐射损伤和残余应力；

(h)、待真空系统自然冷却到接近室温后，通入氮气，开炉取出离子束改性形成的碳化硅晶体；

(i)、检测碳化硅晶体的性能指标和表面状态，包装入库。