[发明专利]一种氮化镓基垂直结构LED外延结构及制造方法无效
| 申请号： | 201110165056.9 | 申请日： | 2011-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN102214748A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 云峰 | 申请（专利权）人： | 云峰 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/02;H01L33/06 |
| 代理公司： | 西安新思维专利商标事务所有限公司 61114 | 代理人： | 李罡 |
| 地址： | 710049 陕西省*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 垂直 结构 led 外延 制造 方法 | ||
1.一种氮化镓基垂直结构LED外延结构的制造方法，其特征在于：至少包括以下步骤：
1）在外延生长衬底（11）上制备ZnO缓冲层（12）；
2）在生长好ZnO缓冲层（12）的衬底上以MOCVD设备生长非本征掺杂的GaN缓冲层（13）；
3）继续在MOCVD设备中生长高温N-型掺杂Si的GaN层（14）、周期性多层发光区-量子阱（15）、电子阻挡层（16）、和P-型掺杂Mg的GaN层（17）；
4）对P-型GaN层的Mg掺杂进行载流子激活。
2.根据权利要求1所述的一种氮化镓基垂直结构LED外延结构的制造方法，其特征在于：所述外延生长衬底（11）是经过图形化的衬底或平面衬底。
3.根据权利要求1或2所述的一种氮化镓基垂直结构LED外延结构的制造方法，其特征在于：所述第2）步中GaN缓冲层（13）的生长首先控制反应室温度在500℃以下生长低温GaN缓冲层，然后再生长高温GaN缓冲层厚度为0.5微米到5微米。
4.根据权利要求3所述的一种氮化镓基垂直结构LED外延结构的制造方法，其特征在于：所上述第4）步激活的温度范围在400℃到600℃之间。
5.一种氮化镓基垂直结构LED外延结构，其特征在于：包括
一外延生长衬底（11）；
一ZnO缓冲层（12），位于该外延生长衬底（11）上；
一GaN缓冲层（13），位于该ZnO缓冲层（12）上；
一N型GaN层（14），位于该GaN缓冲层（13）上；
一周期性多层发光区-量子阱（15），位于该N型GaN层上（14）；
一电子阻挡层（16），位于该发光区（15）上；
一P型GaN层（15）的外延结构，位于该电子阻挡层（16）上。
6.根据权利要求5所述的一种氮化镓基垂直结构LED外延结构，其特征在于：所述ZnO缓冲层（12）的单层厚度在100纳米到100微米之间。
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