[发明专利]一种载片托盘、托盘装置和结晶膜生长设备无效
| 申请号: | 201110158490.4 | 申请日: | 2011-06-13 |
| 公开(公告)号: | CN102828169A | 公开(公告)日: | 2012-12-19 |
| 发明(设计)人: | 古村雄二;张建勇;徐亚伟 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 张天舒;陈源 |
| 地址: | 100015 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 托盘 装置 结晶 生长 设备 | ||
1.一种用于结晶膜生长设备的载片托盘,其特征在于,在所述载片托盘的至少一个表面上形成有用于容纳基片的凹槽,并且对于每一个凹槽而言,其槽底到槽口的距离自凹槽中心向凹槽边缘逐渐减小。
2.根据权利要求1所述的载片托盘,其特征在于,所述凹槽的槽底呈曲面形状。
3.根据权利要求1所述的载片托盘,其特征在于,所述凹槽槽底的曲面形状是基于被加工基片在半导体处理工艺中的形变量而预先确定的。
4.根据权利要求1所述的载片托盘,其特征在于,所述凹槽在与槽口相平行的平面上的截面形状为矩形、圆形或多边形。
5.根据权利要求1所述的载片托盘,其特征在于,对于载片托盘的每一个表面而言,其上所设置的凹槽的数量均为多个。
6.一种用于结晶膜生长设备的托盘装置,其特征在于,包括多个如权利要求1-5中任意一项所述的载片托盘,并且相邻载片托盘之间具有一定间距。
7.根据权利要求6所述的托盘装置,其特征在于,所述多个载片托盘沿纵向层叠设置或者沿横向层叠设置。
8.根据权利要求7所述的托盘装置,其特征在于,在所述多个纵向层叠设置的托盘中,除最底层的托盘外,在各托盘的背面设置第一凸起部,并在与背面设置有第一凸起部的各托盘相对设置的托盘的正面设置与所述第一凸起部相配合的第二凹进部;和/或
在所述多个层叠设置的托盘中,除最底层的托盘外,在各托盘的背面设置第一凹进部,并在与背面设置有第一凹进部的各托盘相对设置的托盘的正面设置与所述第一凹进部相配合的第二凸起部;并且
借助于所述第一凸起部和第二凹进部之间的配合和/或所述第二凸起部和第一凹进部之间的配合,而将相邻托盘彼此保持一定间距地叠置在一起。
9.根据权利要求7所述的托盘装置,其特征在于,还包括陪衬托盘,所述陪衬托盘沿载片托盘层叠方向设置在所述载片托盘的外侧。
10.根据权利要求9所述的托盘装置,其特征在于,所述载片托盘和陪衬托盘均呈环状结构,并且所述凹槽设置在所述载片托盘的环形实体部分。
11.根据权利要求9或10所述的托盘装置,其特征在于,所述载片托盘和陪衬托盘均采用石墨材料制成,并且其表面具有SiC涂层。
12.一种结晶膜生长设备,包括工艺腔室,其特征在于,在所述工艺腔室内设置有如权利要求1-5中任意一项所述的载片托盘,用于承载被加工基片。
13.一种结晶膜生长设备,包括工艺腔室,其特征在于,在所述工艺腔室内设置有如权利要求6-11中任意一项所述的托盘装置,用于承载被加工基片。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





