[发明专利]具有低电阻总线结构的薄膜晶体管基板及其制造方法

权利要求书

1.一种具有低电阻总线结构的薄膜晶体管基板的制造方法，该制造方法包括以下步骤：

通过刻蚀基板的表面以形成总线图案并利用总线金属填充所述总线图案，从而形成总线；

在由所述总线所限定的像素区域的一部分处，形成半导体沟道层；和

形成所述半导体沟道层上的源极-漏极、在所述像素区域内从所述漏极延伸的像素电极、以及与所述像素电极平行的公共电极。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述总线的步骤包括：

在所述基板上沉积光刻胶；

利用与所述总线图案对应的掩模对所述光刻胶进行构图；

利用所构图的光刻胶对所述基板的表面进行刻蚀，以在所述基板上形成所述总线图案；

在所述光刻胶上沉积所述总线金属并且在所述总线图案中填充所述总线金属；和

连同所述光刻胶上的总线金属一起去除所述光刻胶。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述总线的步骤包括：形成在所述基板的一个方向上延伸的选通线、与所述选通线平行地延伸的公共线、具有在所述选通线和所述公共线之间与所述选通线垂直的多个段的数据线、以及从所述选通线分支到所述像素区域的栅极。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，形成半导体沟道层的步骤包括：

通过顺序地沉积绝缘材料、半导体材料和掺杂有杂质的半导体材料并对所述半导体材料和所述掺杂有杂质的半导体材料进行构图，而形成与所述栅极交叠的所述半导体沟道层；和

通过顺序地对所述绝缘材料进行构图，而形成暴露出选通焊盘的选通焊盘接触孔、暴露出数据焊盘的数据焊盘接触孔、暴露出所述公共线的某些部分的公共线接触孔、以及暴露出所述数据线的段的两端的数据线接触孔。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，形成所述源极-漏极、所述像素电极和所述公共电极的步骤包括：

在具有所述半导体沟道层的所述基板上沉积源-漏金属并对所述源-漏金属进行构图，以形成在所述半导体沟道层的一侧上的所述源极、在所述半导体沟道层的另一侧上并面对所述源极的所述漏极、从所述漏极延伸并且具有在所述像素区域内平行布置的多个段的所述像素电极、以及经由所述公共线接触孔与所述公共线连接并且具有在像素区域内平行布置的多个段的所述公共电极；和

进一步形成经由所述选通焊盘接触孔与所述选通焊盘接触的选通焊盘端子、经由所述数据焊盘接触孔与所述数据焊盘接触的数据焊盘端子、和经由所述数据线接触孔与所述数据线的相邻段连接的数据线连接端子。

6.根据权利要求5所述的方法，该方法进一步包括：

通过在具有所述源极-漏极、所述像素电极和所述公共电极的所述基板上沉积钝化材料并对所述钝化材料进行构图，而形成暴露出所述选通焊盘端子和所述数据焊盘端子的钝化层。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，通过顺序地沉积第一金属层和第二金属层而沉积所述源-漏金属，并且

其中，进一步与所述像素区域对应地对所述钝化层进行构图，以暴露出所述像素电极和所述公共电极；并且

该方法进一步包括：

去除所述选通焊盘端子的第二金属层、所述数据焊盘端子的第二金属层、所述像素电极的第二金属层以及所述公共电极的第二金属层。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第一金属层包括钼、钛和钼钛合金中的至少一种，并且

所述第二金属层包括铜。

9.一种具有低电阻总线结构的薄膜晶体管基板，该薄膜晶体管基板包括：

基板；

总线图案，其以预定的深度凹入所述基板中；

总线，其填充在所述总线图案中；

栅绝缘层，其覆盖所述总线；

薄膜晶体管，其布置在由所述总线所限定的像素区域的一部分处；

像素电极，其与所述薄膜晶体管连接并且具有在所述像素区域内互相平行的多个段；和

公共电极，其包括在所述像素区域内与所述像素电极的所述段平行的多个段。