[发明专利]化学气相沉积反应设备无效
| 申请号： | 201110157648.6 | 申请日： | 2011-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN102231416A | 公开（公告）日： | 2011-11-02 |
| 发明（设计）人： | 单洪青;李沅民;林朝晖 | 申请（专利权）人： | 泉州市博泰半导体科技有限公司;北京精诚铂阳光电设备有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;C23C16/455 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 362000 福建省泉州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 化学 沉积 反应 设备 | ||
1.一种化学气相沉积反应设备，包括反应室和位于所述反应室内部的工件架，所述工件架上放置晶片，其特征在于：
所述反应设备包括至少一根多通道输气管，在所述输气管的每个通道的底部具有至少一个通气孔，反应气体分别进入所述通道，由所述通气孔流出至所述晶片上方的反应空间混合，在所述晶片表面沉积膜层。
2.根据权利要求1所述的反应设备，其特征在于：所述输气管的横截面的形状为圆型、方形、矩形或菱形。
3.根据权利要求2所述的反应设备，其特征在于：所述多通道至少包括双通道、三通道、四通道或六通道。
4.根据权利要求3所述的反应设备，其特征在于：所述通气孔位于输气管内所述通道的底面和/或通道底部的侧面。
5.根据权利要求3所述的反应设备，其特征在于：所述三通道输气管中间通道的通道形状为倒T形。
6.根据权利要求5所述的反应设备，其特征在于：所述中间通道的通气孔位于两侧通道的通气孔的下方。
7.根据权利要求1所述的反应设备，其特征在于：在所述设备中密布多根所述多通道输气管时，以相邻通孔流出气体不同为原则进行气体分配。
8.根据权利要求1所述的反应设备，其特征在于：所述通气孔的直径包括0.5～1.5mm的范围。
9.一种多通道输气管，其特征在于：其内部由隔板分隔为至少两个通道，在所述通道的底部设置有至少一个通气孔。
10.根据权利要求9所述的多通道输气管，其特征在于：所述多通道输气管的横截面的形状包括圆型、方形、矩形或菱形。
11.根据权利要求9所述的多通道输气管，其特征在于：所述多通道至少包括双通道、三通道、四通道或六通道。
12.根据权利要求9所述的多通道输气管，其特征在于：所述通气孔位于输气管内所述通道的底面和/或通道底部的侧面。
13.根据权利要求11所述的多通道输气管，其特征在于：所述三通道输气管中间通道的通道形状为倒T形。
14.根据权利要求13所述的多通道输气管，其特征在于：所述中间通道的通气孔位于两侧通道的通气孔的下方。
15.根据权利要求9所述的多通道输气管，其特征在于：所述通气孔的直径包括0.5～1.5mm的范围。
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