[发明专利]钯量子点修饰二氧化钛纳米管阵列光电解水制氢的方法有效

专利信息
申请号: 201110152235.9 申请日: 2011-06-02
公开(公告)号: CN102226284A 公开(公告)日: 2011-10-26
发明(设计)人: 林昌健;宫娇娇 申请(专利权)人: 厦门大学
主分类号: C25B1/04 分类号: C25B1/04;C25B11/08
代理公司: 厦门南强之路专利事务所 35200 代理人: 马应森
地址: 361005 *** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 量子 修饰 氧化 纳米 阵列 电解水 方法
【权利要求书】:

1.钯量子点修饰二氧化钛纳米管阵列光电解水制氢的方法,其特征在于包括以下步骤:

1)钛板的预处理:将钛板打磨后,清洗;

2)3次阳极氧化法制备TiO2纳米管阵列:将打磨清洗后的钛板在含NH4F和H2O的乙二醇溶液中施加电压进行第1次氧化,制得TiO2纳米管阵列,样品取出后除掉表面的TiO2纳米管层,将钛基底进行第2次氧化,再次除掉表面的TiO2纳米管层,再进行第3次氧化,制得TiO2纳米管阵列;

3)锻烧TiO2纳米管阵列:将3次阳极氧化制备的TiO2纳米管阵列锻烧,使TiO2纳米管阵列由无定型转变为锐钛矿型;

4)水热法制备钯量子点:将PdCl2、NaI和PVP溶解在水中,再放入步骤3)锻烧后的TiO2纳米管阵列进行水热处理,样品取出后清洗,即在TiO2纳米管阵列表面沉积钯量子点;

5)钯量子点修饰TiO2纳米管阵列光电解水制氢:将钯量子点修饰TiO2纳米管阵列分别作为光阳极和光阴极,饱和甘汞电极作为参比电极,在三电极光电解池中分解水制氢,氢气和氧气分别在光阴极和光阳极上析出。

2.如权利要求1所述的钯量子点修饰二氧化钛纳米管阵列光电解水制氢的方法,其特征在于在步骤1)中,所述钛板的尺寸为1cm×2cm。

3.如权利要求1所述的钯量子点修饰二氧化钛纳米管阵列光电解水制氢的方法,其特征在于在步骤1)中,所述打磨是依次采用400、800、1000、1200、1500#砂纸打磨;所述清洗是依次采用丙酮、乙醇和三次蒸馏水超声清洗。

4.如权利要求1所述的钯量子点修饰二氧化钛纳米管阵列光电解水制氢的方法,其特征在于在步骤2)中,所述含NH4F和H2O的乙二醇溶液中,NH4F的质量百分比浓度为0.3%,H2O的体积百分比浓度为2%。

5.如权利要求1所述的钯量子点修饰二氧化钛纳米管阵列光电解水制氢的方法,其特征在于在步骤2)中,所述第1次氧化、第2次氧化和第3次氧化的电压均为30~60V,所述第1次氧化的时间为3~5h,所述第2次氧化的时间为1~2h,所述第2次氧化的时间为5~20min。

6.如权利要求1所述的钯量子点修饰二氧化钛纳米管阵列光电解水制氢的方法,其特征在于在步骤3)中,所述煅烧是在空气中煅烧,煅烧的温度为450℃,锻烧的时间为2h,煅烧的升温速率为5℃/min。

7.如权利要求1所述的钯量子点修饰二氧化钛纳米管阵列光电解水制氢的方法,其特征在于在步骤4)中,所述PdCl2、NaI、PVP和水的用量按质量比为PdCl2∶NaI∶PVP∶水=(3~9)∶(100~300)∶(300~800)∶(10~30)。

8.如权利要求1所述的钯量子点修饰二氧化钛纳米管阵列光电解水制氢的方法,其特征在于在步骤4)中,所述水热处理的温度为150~200℃,水热处理的时间为1~2h。

9.如权利要求1所述的钯量子点修饰二氧化钛纳米管阵列光电解水制氢的方法,其特征在于在步骤4)中,所述清洗是依次采用乙醇和去离子水清洗。

10.如权利要求1所述的钯量子点修饰二氧化钛纳米管阵列光电解水制氢的方法,其特征在于在步骤5)中,所述三电极光电解池采用的溶液体系为2M Na2CO3+0.5M乙二醇水溶液,外加偏压为-0.3~-0.6VSCE

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