[发明专利]使用硅基底的氮化物基发光器件及其制造方法

权利要求书

1.一种包括形成在基底上的氮化物基发光结构的氮化物基发光器件，其特征在于，包括：

硅基底；

形成在所述硅基底上的用于氮化物生长的籽晶层，所述用于氮化物生长的籽晶层包括GaN粉末；以及

形成在所述籽晶层上并堆叠有多层氮化物层的发光结构。

2.根据权利要求1所述的氮化物基发光器件，其特征在于，所述GaN粉末具有10nm到1μm的平均颗粒尺寸。

3.根据权利要求1所述的氮化物基发光器件，其特征在于，所述硅基底具有不平的表面。

4.根据权利要求1所述的氮化物基发光器件，其特征在于，所述发光结构包括：

形成在所述用于氮化物生长的籽晶层上的第一导电型氮化物层；

形成在所述第一导电型氮化物层上的发光有源层；以及

形成在所述发光有源层上并具有与所述第一导电型氮化物层的导电特性相反的导电特性的第二导电型氮化物层。

5.根据权利要求4所述的氮化物基发光器件，其特征在于，所述第一导电型氮化物层包括n型GaN，而所述第二导电型氮化物层包括p型GaN。

6.根据权利要求5所述的氮化物基发光器件，其特征在于，所述硅基底为n型硅基底。

7.根据权利要求4所述的氮化物基发光器件，其特征在于，所述发光结构还包括在所述用于氮化物生长的籽晶层和所述第一导电型氮化物层之间的缓冲层。

8.根据权利要求7所述的氮化物基发光器件，其特征在于，所述缓冲层包括从AlN、ZrN和GaN中选出的至少一种氮化物。

9.根据权利要求7所述的氮化物基发光器件，其特征在于，所述发光结构还包括在所述缓冲层和所述第一导电型氮化物层之间的未掺杂氮化物层。

10.一种包括形成在基底上的氮化物基发光结构的氮化物基发光器件的制造方法，其特征在于，包括：

在硅基底上形成用于氮化物生长的籽晶层；以及

在所述籽晶层上顺序地形成多层氮化物层以形成发光结构，

所述用于氮化物生长的籽晶层包括GaN粉末。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，形成所述用于氮化物生长的籽晶层包括：将GaN粉末置于所述硅基底上，并对所述硅基底加热，以将所述GaN粉末附着在所述硅基底上。

12.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，形成所述用于氮化物生长的籽晶层包括：使用旋涂机将包含GaN粉末的溶液涂覆在所述硅基底上，并将所述硅基底干燥。