[发明专利]一种LED封装结构及其制备方法

权利要求书

1.一种LED封装结构，其特征在于，包括：

LED芯片，采用垂直电极结构，其N型电极设置在其衬底的底部，且所述N型电极通过通孔与所述LED芯片的N型电子注入层电性相连；

导热基板，所述LED芯片固定在所述导热基板上；

反光杯，固定于所述导热基板上，且所述LED芯片位于所述反光杯内；

掺荧光粉胶层，位于所述反光杯内，将所述LED芯片密封在所述反光杯内。

2.如权利要求1所述的LED封装结构，其特征在于，所述通孔设置在所述衬底的底部，且与所述LED芯片的N型电子注入层相连，所述N型电极覆盖所述通孔及所述衬底底部。

3.如权利要求2所述的LED封装结构，其特征在于，所述N型电极包括第一电极及第二电极，其中所述第一电极位于所述通孔内，所述第二电极覆盖所述衬底底部。

4.如权利要求3所述的LED封装结构，其特征在于，所述第一电极的导电性大于所述第二电极的导电性，所述第二电极的散热性大于所述第一电极的散热性。

5.如权利要求4所述的LED封装结构，其特征在于，所述第一电极的材料为TiAlAu，所述第二电极的材料为Al或Cu。

6.如权利要求1所述的LED封装结构，其特征在于，所述LED芯片包括：衬底，在所述衬底上依次生长的低温缓冲层、N型电子注入层、多量子阱有源层、电子阻挡层、P型空穴注入层以及P型电极金属全发射层，其中，所述P型电极金属全发射层上制备有P型电极，所述衬底底部制备有N型电极，所述N型电极与所述N型电子注入层电性相连。

7.如权利要求6所述的LED封装结构，其特征在于，所述衬底为蓝宝石衬底。

8.如权利要求6所述的LED封装结构，其特征在于，所述LED芯片为氮化镓基LED芯片，其中，所述低温缓冲层为GaN层，所述N型电子注入层为N型GaN层，所述电子阻挡层为P型AlGaN层，所述P型空穴注入层为P型GaN层。

9.如权利要求1所述的LED封装结构，其特征在于，所述导热基板为硅衬底或氧化铝陶瓷基板。

10.一种如权利要求1所述的LED封装结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

制备所述LED芯片；

准备所述导热基板；

将所述LED芯片固定至所述导热基板上；

在所述导热基板上安装反光杯；以及

点胶，将掺荧光粉胶层注入至所述反光杯内。

11.如权利要求10所述的LED封装结构的制备方法，其特征在于，所述制备LED芯片具体包括如下步骤：

提供衬底；

在所述衬底上依次生长低温缓冲层、N型电子注入层、多量子阱有源层、电子阻挡层、P型空穴注入层以及P型电极金属全发射层；

在所述衬底中制作通孔，所述通孔与所述N型电子注入层相连；

沉积N型电极，所述N型电极填充所述通孔，并覆盖所述衬底底部；

在所述P型电极金属全发射层上制备P型电极。

12.如权利要求11所述的LED封装结构的制备方法，其特征在于，在所述衬底中制作通孔，所述通孔与所述N型电子注入层相连具体包括如下步骤：

将所述衬底减薄至20～50um；

采用激光在所述衬底上钻孔至所述N型电子注入层；

采用硫酸与磷酸混合液对所述孔的侧壁进行湿法腐蚀，形成所述通孔。

13.如权利要求11所述的LED封装结构的制备方法，其特征在于，所述N型电极包括第一电极及第二电极，其中所述第一电极位于所述通孔内，所述第二电极覆盖所述衬底底部。

14.如权利要求13所述的LED封装结构的制备方法，其特征在于，所述第一电极的导电性大于所述第二电极的导电性，所述第二电极的散热性大于所述第一电极的散热性。

15.如权利要求14所述的LED封装结构的制备方法，其特征在于，所述第一电极的材料为TiAlAu，所述第二电极的材料为Al或Cu。

16.如权利要求11所述的LED封装结构的制备方法，其特征在于，所述衬底为蓝宝石衬底。