[发明专利]一种选择性发射极单晶硅太阳电池的制备方法

权利要求书

1.一种选择性发射极单晶硅太阳电池的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

(1)对P型单晶硅片表面进行清洗制绒；

(2)然后对其一面进行离子注入磷元素形成PN结；

(3)进行退火并生长氧化层；

(4)在N型表面继续沉积一层钝化和减反膜；

(5)对主栅和副栅所处位置进行清洗，采用离子注入的方法进行重掺杂并快速退火；

(6)清洗表面，去除保护膜；

(7)然后丝网印刷背面电极电场并烘干、采用丝网印刷设备或电镀方法制备正电极；

(8)最后进行烧结，即得产品。

2.根据权利要求1所述的选择性发射极单晶硅太阳电池的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述的清洗制绒采用NaOH、异丙醇、制绒添加剂和去离子水的混合物对单晶硅片清洗；所述的NaOH的质量浓度为1％～3％，所述的制绒添加剂为市售制绒添加剂DY-810，所述的混合物中NaOH、异丙醇、制绒添加剂和去离子水的体积比为5∶9∶1∶150。

3.根据权利要求1所述的选择性发射极单晶硅太阳电池的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述的离子注入是将磷元素杂质电离成离子并聚焦成离子束，在电场中加速而获得极高的动能后，注入到硅中而实现掺杂，注入温度为200℃～400℃。

4.根据权利要求3所述的选择性发射极单晶硅太阳电池的制备方法，其特征在于，所述的掺杂的浓度分布为10¹⁸cm³～10²⁰/cm³，掺杂的深度为0.15μm～0.4μm。

5.根据权利要求1所述的选择性发射极单晶硅太阳电池的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述的退火温度为600℃～700℃。

6.根据权利要求1所述的选择性发射极单晶硅太阳电池的制备方法，其特征在于，步骤(4)所述的钝化和减反膜由反应气体氨气和硅烷通过等离子体增强化学气相沉积法制备得到70nm～90nm的单层氮化硅薄膜或者双层氮化硅薄膜。

7.根据权利要求1所述的选择性发射极单晶硅太阳电池的制备方法，其特征在于，步骤(5)所述的对主栅和副栅的清洗采用喷墨或丝网印刷酸性腐蚀剂、或者激光刻蚀的方法清洗；所述的重掺杂的浓度分布为10¹⁹cm³～10²¹/cm³，深度为0.5μm～2μm；所述的快速退火温度为600℃～700℃，时间为1～10分钟。

8.根据权利要求7所述的选择性发射极单晶硅太阳电池的制备方法，其特征在于，所述的酸性腐蚀剂为氢氟酸或硝酸，所述的激光刻蚀采用532nm或1064nm波长的激光。

9.根据权利要求1所述的选择性发射极单晶硅太阳电池的制备方法，其特征在于，步骤(6)所述的清洗表面采用低浓度酸溶液进行1～5分钟的漂洗，所述的低浓度酸溶液为1％～5％的氢氟酸。

10.根据权利要求1所述的选择性发射极单晶硅太阳电池的制备方法，其特征在于，步骤(8)所述的烧结的温度为500℃～900℃。