[发明专利]一种无定形碳硬掩模的等离子体刻蚀方法

权利要求书

1.一种无定形碳硬掩模的等离子体刻蚀方法，其特征在于，将NH3、H2混合气体作为等离子体源，对无定形碳硬掩模进行等离子体刻蚀。

2.根据权利要求1所述的无定形碳硬掩模的等离子体刻蚀方法，其特征在于，将H2作为主刻蚀气体。

3.根据权利要求1所述的无定形碳硬掩模的等离子体刻蚀方法，其特征在于，大流量H2产生H自由基，H自由基与无定形碳C结合产生挥发性气体CxHy。

4.根据权利要求1所述的无定形碳硬掩模的等离子体刻蚀方法，其特征在于，将NH3作为刻蚀气体和侧向保护气体。

5.根据权利要求1所述的无定形碳硬掩模的等离子体刻蚀方法，其特征在于，NH3气体激发大量H、N自由基，H与无定形碳C反应形成CxHy，N与无定形碳中的C形成碳氮化合物。

6.根据权利要求1所述的无定形碳硬掩模的等离子体刻蚀方法，其特征在于，相对于更高挥发性的CxHy，碳氮化合物能够起到一定的侧向保护作用，从而产生各向异性的刻蚀效果。

7.根据权利要求1所述的无定形碳硬掩模的等离子体刻蚀方法，其特征在于，刻蚀的速率是由H自由基的浓度决定的，H自由基的浓度升高，则刻蚀的速率就升高，反之，H自由基的浓度降低，则刻蚀的速率就降低。

8.根据权利要求1所述的无定形碳硬掩模的等离子体刻蚀方法，其特征在于，刻蚀的侧壁形貌是通过N自由基的浓度决定的，通过调节NH3与H2的气体流量比来对刻蚀的形貌进行调节。

9.根据权利要求1所述的无定形碳硬掩模的等离子体刻蚀方法，其特征在于，以避免H2、NH3与位于不定形碳硬掩模之上或覆盖在不定形碳硬掩模之上的SiO2，SiN，Si发生反应，故H2、NH3的无定形碳选择比很高。

10.根据权利要求1所述的无定形碳硬掩模的等离子体刻蚀方法，其特征在于，在刻蚀过程中，NH3的体积流量为200-300标况毫升每分，H2的体积流量为300-500标况毫升每分，另外还包括Ar，Ar的流量为0-200标况毫升每分，另外，工艺进行中的功率为800-1000W，压力为80-120mt。