[发明专利]荧光板电子束成像系统对高能电子束电量响应的标定方法无效
| 申请号: | 201110123469.0 | 申请日: | 2011-05-13 |
| 公开(公告)号: | CN102207462A | 公开(公告)日: | 2011-10-05 |
| 发明(设计)人: | 夏长权;刘建胜;邓爱华;徐建彩;王文涛;卢海洋;王成;徐至展 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号: | G01N21/66 | 分类号: | G01N21/66 |
| 代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人: | 张泽纯 |
| 地址: | 201800 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 荧光 电子束 成像 系统 高能 电量 响应 标定 方法 | ||
1.一种荧光板电子束成像系统对高能电子束电量响应的标定方法,其特征是该方法包括下列步骤:
①在荧光板(3)上的电子入射面上紧贴覆盖一层电子成像板(4),在荧光板(3)和电子成像板(4)之前设置一块铝板(2),在所述的荧光板(3)和电子成像板(4)之后设置CCD探测器(6);
②将待测的高能量大发散角电子束同时辐照在电子成像板(4)和荧光板(3)的交界处;
③利用所述的CCD探测器(6)记录电子束通过电子成像板(4)和电子束通过荧光板(3)上同等面积的计数值;
④利用电子成像板对电子束的响应是已知的,通过计算和比较,得到荧光板电子成像系统对高能电子束电量响应的关系;
⑤改变电子束(1)的能量,重复步骤②③④,形成荧光板电子成像系统对高能电子束电量响应的关系曲线。
2.根据权利要求1所述的标定方法,其特征是所述的待测的高能量大发散角电子束的发散角为3度。
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