[发明专利]显示装置及其制造方法

说明书

技术领域

所描述的技术总体涉及一种显示装置及其制造方法。更具体地，所描述的技术总体涉及一种显示装置及其制造方法，其用于改善显示装置的性能并抑制在显示装置中产生缺陷。

背景技术

诸如有机发光二极管(OLED)显示器和液晶显示器(LCD)的大多数平板显示装置使用有机绝缘层和薄膜晶体管。

当形成接触孔或将导电层图案化时，有机绝缘层暴露于多个蚀刻工艺。然而，当有机绝缘层暴露于蚀刻工艺(特别是干法蚀刻工艺)时，有机绝缘层的表面粗糙度明显增大。如果导电层形成在表面粗糙度增大的有机绝缘层上并被图案化，则导电层的导电材料容易留在有机绝缘层的表面上。留在有机绝缘层上的导电材料阻碍导线彼此电绝缘，从而导致短路。

背景技术部分公开的上述信息仅是为了强化对所描述的技术的背景的理解，因此，其可包括对本领域普通技术人员来说不形成在本国已知的现有技术的信息。

发明内容

示例性实施例提供一种用于防止内部短路的显示装置。

另一示例性实施例提供用于制造所述显示装置的方法。

根据示例性实施例，所述显示装置包括：基板；半导体层，形成在基板上；有机绝缘层，形成在半导体层上；多条导线，形成在有机绝缘层上。有机绝缘层具有开口槽，所述开口槽形成在所述多条导线之间。

所述多条导线可彼此分开地设置。

所述显示装置还可包括：栅极绝缘层，形成在半导体层上；栅极电极，形成在栅极绝缘层上。

所述显示装置还可包括设置在有机绝缘层和栅极电极之间的无机绝缘层。

无机绝缘层可具有开口槽。有机绝缘层的开口槽和无机绝缘层的开口槽可一起排列以暴露栅极绝缘层或栅极电极。

无机绝缘层可包括含有氢的氮化硅膜。

半导体层可以是通过图案化多晶硅层形成的。

所述多条导线可包括源极电极和漏极电极。

所述显示装置还可包括：第一电容器电极，形成在基板上；第二电容器电极，形成在栅极绝缘层上。第一电容器电极可与半导体层处于基本相同的高度。第二电容器电极可与源极电极和漏极电极处于基本相同的高度。

所述显示装置还可包括：像素电极，形成在栅极绝缘层上；有机发射层，形成在像素电极上；共电极，形成在有机发射层上。像素电极可结合到半导体层的漏极区。

栅极电极可形成为包括栅极透明层和形成在栅极透明层上的栅极金属层的双层结构。

像素电极可由与栅极电极的栅极透明层的材料相同的材料形成在与栅极透明层相同的高度。

所述显示装置还可包括：像素电极，形成在栅极绝缘层上；液晶层，形成在像素电极上；共电极，形成在液晶层上。像素电极可结合到半导体层的漏极区。

根据另一示例性实施例，制造显示装置的方法包括以下步骤：准备基板；在基板上形成半导体层；在半导体层上形成有机绝缘层；在有机绝缘层上形成开口槽；在有机绝缘层上形成多条导线。所述多条导线彼此分开地设置，所述开口槽形成在所述多条导线之间。

所述制造方法还可包括以下步骤：在半导体层上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成栅极电极。所述有机绝缘层被形成在栅极电极上。

所述多条导线可包括源极电极和漏极电极。

所述制造方法还可包括以下步骤：在基板上在与半导体层基本相同的高度形成第一电容器电极，所述多条导线包括形成在与源极电极和漏极电极基本相同的高度处的第二电容器电极。

所述制造方法还可包括在栅极电极和有机绝缘层之间形成无机绝缘层的步骤。

在有机绝缘层上形成开口槽的步骤还可包括以下步骤：在有机绝缘层、无机绝缘层和栅极绝缘层的每层上形成接触孔。有机绝缘层的接触孔、无机绝缘层的接触孔和栅极绝缘层的接触孔可一起排列，以暴露半导体层的一部分。

在有机绝缘层、无机绝缘层和栅极绝缘层的每层上形成接触孔的步骤还可包括以下步骤：去除有机绝缘层和无机绝缘层的将要形成多个接触孔的部分；利用半色调曝光通过光刻去除有机绝缘层的将要形成所述开口槽的部分的一部分；通过蚀刻工艺去除栅极绝缘层的将形成所述多个接触孔的部分以暴露半导体层；去除有机绝缘层的留在将形成所述开口槽的区域中的部分。

形成开口槽的步骤可包括将有机绝缘层和无机绝缘层一起图案化的步骤。

无机绝缘层可包括氮化硅膜和氧化硅膜中的至少一种。

无机绝缘层可包括利用硅烷、氨和氢通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)形成的氮化硅膜。

所述制造方法还可包括在栅极电极上形成无机绝缘层之后退火的步骤。