[发明专利]一种8-羟基喹啉铝为修饰层的C60有机场效应晶体管

权利要求书

1.一种8-羟基喹啉铝为修饰层的C60有机场效应晶体管，其特征在于：包括栅电极、复合绝缘层、有源层、修饰层和源漏电极，其结构式为Si/SiO₂/PMMA/C60/Alq3/Al，所述修饰层为8-羟基喹啉铝并作为电极/有源层的阻挡层。

2.根据权利要求1所述8-羟基喹啉铝为修饰层的C60有机场效应晶体管，其特征在于：所述栅电极为重掺杂的硅衬底，掺杂材料为磷，掺杂浓度为10¹⁸-10²¹。

3.根据权利要求1所述8-羟基喹啉铝为修饰层的C60有机场效应晶体管，其特征在于：所述复合绝缘层包括无机SiO₂绝缘层和有机聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）绝缘层，其中无机SiO2绝缘层的厚度为350nm，有机PMMA绝缘层的厚度为100nm。

4.根据权利要求1所述8-羟基喹啉铝为修饰层的C60有机场效应晶体管，其特征在于：所述有源层为高迁移率的n型有机小分子材料C60，其分子量为720。

5.根据权利要求1所述8-羟基喹啉铝为修饰层的C60有机场效应晶体管，其特征在于：所述源漏电极为金属铝。

6.一种如权利要求1所述8-羟基喹啉铝为修饰层的C60有机场效应晶体管的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

1）以重掺杂的Si 为衬底，以预先在Si衬底上通过热氧化制备的SiO₂为无机绝缘层，其中SiO₂表面依次分别用去离子水、丙酮和异丙醇超声清洗各一次，利用旋涂甩膜的方法制备有机绝缘层PMMA；

2）在上述复合绝缘层上采用真空蒸镀法沉积C60有源层；

3）在上述C60有源层上采用真空蒸镀法依次沉积厚度为5nm、10nm和15nm的8-羟基喹啉铝修饰层；

4）采用真空蒸镀法沉积铝源漏电极。