[发明专利]单一晶粒尺寸半导体元件绝缘被覆结构无效
| 申请号： | 201110120025.1 | 申请日： | 2008-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN102201378A | 公开（公告）日： | 2011-09-28 |
| 发明（设计）人： | 吴亮洁;王*晴 | 申请（专利权）人： | 佳邦科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/00;H01L23/488 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 赵根喜;冯志云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单一 晶粒 尺寸 半导体 元件 绝缘 被覆 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种单一晶粒尺寸半导体元件绝缘被覆结构，其特征在于，包括：
单一晶粒尺寸半导体元件，该单一晶粒尺寸半导体元件具有前侧面、后侧面、左侧面、右侧面、底面、及上表面，该单一晶粒尺寸半导体元件的上表面具有两个金属垫；以及
绝缘被覆层，该绝缘被覆层覆盖于该单一晶粒尺寸半导体元件的前侧面、后侧面、左侧面、右侧面、及底面，该单一晶粒尺寸半导体元件的两端还分别具有端电极，该端电极覆盖于该绝缘被覆层、及该金属垫，使该端电极覆盖于该单一晶粒尺寸半导体元件的前侧面、后侧面、左侧面、右侧面、底面、及上表面。
2.如权利要求1所述的单一晶粒尺寸半导体元件绝缘被覆结构，其特征在于，该绝缘被覆层至少含高分子材料。
3.如权利要求1所述的单一晶粒尺寸半导体元件绝缘被覆结构，其特征在于，该端电极至少含银。
4.如权利要求1所述的单一晶粒尺寸半导体元件绝缘被覆结构，其特征在于，该端电极至少含铜。
5.如权利要求1所述的单一晶粒尺寸半导体元件绝缘被覆结构，其特征在于，该端电极具有电镀层，该电镀层包覆于该端电极。
6.如权利要求5所述的单一晶粒尺寸半导体元件绝缘被覆结构，其特征在于，该电镀层至少含镍。
7.如权利要求5所述的单一晶粒尺寸半导体元件绝缘被覆结构，其特征在于，该电镀层至少含锡。
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