[发明专利]用于基于碲化镉的薄膜光伏器件的硫化镉层及其制造方法

权利要求书

1.一种用氟掺杂硫化镉薄膜层(18)的方法，所述方法包括：

在包括无机氟源气体的溅射气氛中在衬底(12)上溅射硫化镉层(18)。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述无机氟源气体包括六氟化硫、四氟化硫、三氟化氮、亚硝酰氟、三氟化溴、五氟化溴、五氟化氯、三氟化氯、单氟化氯、五氟化碘或其混合物。

3.如权利要求1或2所述的方法，其中所述无机氟源气体包括六氟化硫。

4.如权利要求1或2所述的方法，其中所述无机氟源气体包括三氟化氮。

5.如权利要求1至4中任一项所述的方法，其中所述无机氟源气体大致上没有元素氟气体。

6.如权利要求1至5中任一项所述的方法，其中所述溅射气氛大致上没有有机材料。

7.如权利要求1至6中任一项所述的方法，其中所述溅射气氛包括按体积大于0％至约15％的所述无机氟源气体，优选地按体积约1％至约10％的所述无机氟源气体。

8.如权利要求1至7中任一项所述的方法，其中所述溅射气氛进一步包括按体积从大于0％至约15％的氧。

9.如权利要求1至8中任一项所述的方法，进一步包括：

在所述硫化镉层(18)上溅射第二硫化镉层(19)，其中所述第二硫化镉层(19)在大致上没有氟的第二溅射气氛中溅射在所述硫化镉层(18)上。

10.如权利要求1至9中任一项所述的方法，其中在所述溅射气氛中的氟量在溅射期间减少使得所述硫化镉层(18)具有递减的氟浓度。

11.一种制造基于碲化镉的薄膜光伏器件的方法，所述方法包括：

根据权利要求1至10中任一项所述的方法在衬底上沉积硫化镉层(18)使得所述硫化镉层(18)掺杂氟；以及

在所述硫化镉层(18)上沉积碲化镉层(20)。

12.一种基于碲化镉的薄膜光伏器件(10)，所述器件(10)包括：

衬底(12)；

在所述衬底(12)上的透明导电氧化物层(14)；

在所述透明导电氧化物层(14)上的硫化镉层(18)，其中所述硫化镉层(18)包括用氟掺杂的硫化镉；以及

在所述硫化镉层(18)上的碲化镉层(20)。

13.如权利要求12所述的器件(10)，其进一步包括：

在所述硫化镉层(18)和所述碲化镉层(20)之间的第二硫化镉层(19)，其中所述第二硫化镉层(19)大致上没有氟。

14.如权利要求13所述的器件(10)，其中所述第二硫化镉层(19)由硫化镉构成。

15.如权利要求12至14中任一项所述的器件，其中所述硫化镉层(18)包括处于在从抗蚀性透明缓冲层(16)到所述碲化镉层(20)的方向上减小的渐变浓度的氟。