[发明专利]具有图像传感器封装件的图像传感器模块无效
| 申请号: | 201110115521.8 | 申请日: | 2011-04-29 |
| 公开(公告)号: | CN102237387A | 公开(公告)日: | 2011-11-09 |
| 发明(设计)人: | 徐炳林;闵炳旭;赵泰济;孔永哲;金东民;朴智雄 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L31/024 |
| 代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 韩明星;刘灿强 |
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 图像传感器 封装 模块 | ||
本申请要求于2010年4月29日提交到韩国知识产权局(KIPO)的第10-2010-0039836号韩国专利申请的优先权,其全部内容通过引用包含于此。
技术领域
示例实施例涉及一种具有图像传感器封装件的图像传感器模块。更具体地,示例实施例涉及一种具有安装在电路板上的图像传感器封装件的图像传感器模块。
背景技术
近来,高分辨率图像传感器模块已被广泛地应用于诸如数字相机、相机电话等的数字装置中。图像传感器模块可包括用于将图像信息转换为电信息的图像传感器。具体地讲,图像传感器可包括能够将光子转换成电子以显示和存储图像的半导体器件。图像传感器的示例包括电荷耦合器件(CCD)、互补金属氧化硅(CMOS)图像传感器(CIS)等。
传统的图像传感器模块可包括模块基板和设置在模块基板上的图像传感器封装件。例如,图像传感器封装件可以是陶瓷无引线芯片载体(CLCC)。
然而,由于图像传感器封装件粘合在模块基板上,因此图像传感器模块的总厚度会增大。因此,将期望图像传感器模块具有非常小的厚度。图像传感器(尤其是纤薄的图像传感器)具有优良的散热性能也会是有益的。
发明内容
示例实施例提供了一种具有减小的总厚度和优良的散热性能的图像传感器模块。
根据示例实施例,图像传感器模块包括电路板、图像传感器封装件和光学系统。电路板具有上表面和下表面,并且电路板具有窗口。图像传感器封装件包括安装基板和安装在安装基板上的图像传感器芯片,图像传感器封装件粘合到电路板的下表面,从而图像传感器芯片通过所述窗口暴露。光学系统设置在电路板的上表面上以将来自物体的光导向图像传感器芯片。
在示例实施例中,图像传感器封装件可包括:透明构件,设置在安装基板上方以覆盖图像传感器芯片;支架,用于支撑透明构件。
在示例实施例中,透明构件可设置在图像传感器芯片上方且在电路板的窗口的区域内。
在示例实施例中,支架可从安装基板向上延伸。
在示例实施例中,支架可设置在电路板的窗口的区域内。
在示例实施例中,透明构件可具有与图像传感器芯片对应的形状。
在示例实施例中,图像传感器封装件的安装基板可包括:散热基板;电路基板,设置在散热基板上。
在示例实施例中,散热基板可包括导热金属。
在示例实施例中,图像传感器芯片可包括图像传感器部分和围绕图像传感器部分的边界部分,边界部分包括至少一个结合焊盘。
在示例实施例中,所述图像传感器模块还可包括分别设置在安装基板的上表面上的多个连接焊盘上的多个导电连接构件。图像传感器封装件可通过导电连接构件电连接到电路板。
在示例实施例中,每个导电连接构件可包含导电胶或导电球。
在示例实施例中,连接焊盘可布置在安装基板的外围区域中。
在示例实施例中,图像传感器芯片的上表面可低于电路板的上表面。
在示例实施例中,所述图像传感器模块还可包括散热板,所述散热板粘合到电路板的下表面以覆盖图像传感器封装件。
在示例实施例中,所述图像传感器模块还可包括框架,所述框架粘合到电路板的上表面以支撑光学系统。
根据示例实施例,图像传感器模块可包括:图像传感器封装件,粘合到电路板的下表面;光学系统,设置在电路板的上表面上。图像传感器封装件的图像传感器芯片可通过电路板的窗口暴露,并且图像传感器芯片的上表面可低于电路板的上表面。
根据其他的示例性实施例,一种装置包括电路板和图像传感器封装件。电路板包括上表面、下表面和窗口。图像传感器封装件包括覆盖安装基板的第一部分的图像传感器芯片,其中,图像传感器芯片的上表面通过所述窗口暴露。安装基板的第二部分位于第一部分的外侧,并在安装基板的上表面电连接且物理连接到电路板。图像传感器芯片的上表面位于与电路板的上表面的高度不同的高度处。
在另一实施例中,所述装置还可包括支架和由支架支撑的透明构件,其中,支架和透明构件位于所述窗口的区域内。
安装基板可包括电路基板,安装基板还可包括散热元件,散热元件接触电路基板的下表面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





