[发明专利]发光二极管及其制造方法无效
| 申请号： | 201110112519.5 | 申请日： | 2011-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN102208507A | 公开（公告）日： | 2011-10-05 |
| 发明（设计）人： | 李淼 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
1.一种发光二极管，包括：
衬底；
位于所述衬底上的缓冲层、n型半导体层、有源层以及p型半导体层；
其特征在于，还包括形成于所述p型半导体层上的粗化层，所述粗化层包括n型掺杂InAlGaN层、p型掺杂InAlGaN层或p/n共掺的InAlGaN层中的一种或其组合，所述n型掺杂InAlGaN层、p型掺杂InAlGaN层以及p/n共掺的InAlGaN层均具有粗化表面。
2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述n型掺杂InAlGaN层为掺Si的InAlGaN层。
3.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述p型掺杂InAlGaN层为掺Mg的InAlGaN层。
4.一种发光二极管制造方法，其特征在于，包括：
在衬底上依次形成缓冲层、n型半导体层、有源层以及p型半导体层；
利用MOCVD工艺在所述p型半导体层上形成粗化层，所述粗化层包括n型掺杂InAlGaN层、p型掺杂InAlGaN层以及p/n共掺的InAlGaN层中的一种或其组合，所述n型掺杂InAlGaN层、p型掺杂InAlGaN层以及p/n共掺的InAlGaN层均具有粗化表面；
其中，所述MOCVD工艺的温度为600～900℃，腔体压力为100～800mba。
5.如权利要求4所述的发光二极管制造方法，其特征在于，所述MOCVD工艺采用N2和/或H2作为载气。
6.如权利要求4或5所述的发光二极管制造方法，其特征在于，所述n型掺杂InAlGaN层为掺Si的InAlGaN层。
7.如权利要求4或5所述的发光二极管制造方法，其特征在于，所述p型掺杂InAlGaN层为掺Mg的InAlGaN层。
8.如权利要求4所述的发光二极管制造方法，其特征在于，所述缓冲层、n型半导体层、有源层、p型半导体层以及粗化层是在同一腔室内形成的。
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