[发明专利]用于提高半导体器件性能的附加空置有源区填充方法

权利要求书

1.一种用于提高半导体器件性能的附加空置有源区填充方法，包括，一集成电路板上设有多个半导体器件，半导体器件中包括一种第一晶体管，将所述集成电路板未加工半导体器件的空余区域设为浅沟槽区域，其特征在于，用多个附加空置有源区对所述浅沟槽区域进行部分填充，所述附加空置有源区在集成电路板上的轮廓为方形，所述附加空置有源区的任意一边所在的直线与所述半导体器件的沟道方向所在的直线均呈夹角。

2.根据权利要求1所述的用于提高半导体器件性能的附加空置有源区填充方法，其特征在于，所述附加空置有源区对所述半导体器件产生压应力，所述附加空置有源区的任意一边所在的直线与所述半导体器件的沟道方向所在的直线均呈夹角，使得附加空置有源区对于半导体器件产生的压应力作用在半导体器件上的角度得到改变，从而减小半导体器件受到的压应力。

3.根据权利要求1所述的用于提高半导体器件性能的附加空置有源区填充方法，其特征在于，所述夹角为四十五度。

4.根据权利要求1所述的用于提高半导体器件性能的附加空置有源区填充方法，其特征在于，所述第一晶体管为为NMOS器件。

5.根据权利要求4所述的用于提高半导体器件性能的附加空置有源区填充方法，其特征在于，改变所述附加空置有源区与所述半导体器件之间的夹角后，所述NMOS器件沟道中受到的压应力减小，从而提高了NMOS器件的电子迁移率，进而提高了所述NMOS器件的性能。

6.根据权利要求1所述的用于提高半导体器件性能的附加空置有源区填充方法，其特征在于，所述多个附加空置有源区规则排布在一矩阵上。

7.根据权利要求1所述的用于提高半导体器件新能的附加空置有源区填充方法，其特征在于，所述浅沟槽区域环绕在所述半导体器件的周围。

8.根据权利要求7所述的用于提高半导体器件性能的附加空置有源区填充方法，其特征在于，所述多个附加空置有源区环绕在所述半导体器件的周围。

9.根据权利要求1所述的提高半导体器件中电子迁移率的方法，其特征在于，所述半导体器件还进一步包括PMOS器件，并且所述半导体器件为CMOS器件。

10.根据权利要求1所述的提高半导体器件中空穴迁移率的方法，其特征在于，在所述浅沟槽区域内填充附加空置有源区，用以使有源区单位面积的密度较为均匀，进而有利于后续的化学机械抛光工艺的进行。