[发明专利]发光器件的制造方法有效
| 申请号: | 201110109514.7 | 申请日: | 2006-03-23 |
| 公开(公告)号: | CN102244205A | 公开(公告)日: | 2011-11-16 |
| 发明(设计)人: | 岩城裕司;瀬尾哲史;熊木大介;中島晴惠;小島久味 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 朱黎明 |
| 地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光 器件 制造 方法 | ||
1.一种发光器件的制造方法,它包括如下步骤:
提供在蒸发源中的含有有机化合物的第一坩埚和含有无机化合物的第二坩埚;
沿传递方向将一基材输送进入一个薄膜形成室,从而使该基材通过一蒸发护罩的上方,该蒸发护罩的上部具有至少一个开孔,所述蒸发源置于所述蒸发护罩的下方;
在将该基材输送通过该蒸发护罩上方的同时加热在所述蒸发源中的所述有机化合物和无机化合物,从而在所述基材上形成一层含所述有机化合物和无机化合物的层;
在形成所述层的过程中加热该蒸发护罩;
所述开孔具有细长的形状,其细长的方向沿与所述传递方向垂直的第二方向排列。
2.一种发光器件的制造方法,它包括如下步骤:
提供在蒸发源中的含有有机化合物的第一坩埚和含有无机化合物的第二坩埚;
沿传递方向将一基材输送进入一个薄膜形成室,从而使该基材通过一蒸发护罩的上方,该蒸发护罩的上部具有至少一个开孔,沿与所述传递方向垂直的第二方向,该蒸发护罩具有一宽度,所述蒸发源置于所述蒸发护罩的下方;
在将该基材输送通过该蒸发护罩上方的同时加热所述蒸发源中的所述有机化合物和无机化合物,从而在所述基材上形成一层含该有机化合物和无机化合物的层;
在形成所述层的过程中加热该蒸发护罩;
该蒸发护罩沿所述第二方向具有一宽度,该蒸发护罩的宽度大于所述基材的宽度。
3.如权利要求1或2所述的方法,其特征在于加热所述蒸发护罩的步骤受一计算机控制。
4.如权利要求1或2所述的方法,其特征在于所述加热蒸发源的步骤是由电阻加热实现的。
5.如权利要求1或2所述的方法,其特征在于所述蒸发护罩的上部具有多个开孔。
6.如权利要求1或2所述的方法,其特征在于所述蒸发源带有多个坩埚。
7.如权利要求1或2所述的方法,其特征在于所述发光器件是一个光源。
8.如权利要求1或2所述的方法,其特征在于所述发光器件是一个图像显示器。
9.如权利要求1或2所述的方法,其特征在于所述发光器件是一个照明器件。
10.如权利要求1或2所述的方法,其特征在于所述无机化合物是过渡金属的氧化物。
11.如权利要求1或2所述的方法,其特征在于所述层具有载流子输送性能。
12.如权利要求1或2所述的方法,其特征在于所述层具有载流子注入性能。
13.一种发光器件的制造方法,它包括如下步骤:
提供在一个薄膜形成室中的第一蒸发源,所述第一蒸发源包括含有第一有机化合物的第一坩埚和含有无机化合物的第二坩埚,所述第一蒸发源被置于该薄膜形成室第一蒸发护罩的下方;
提供在所述薄膜形成室中的第二蒸发源,该第二蒸发源包括含有第二有机化合物的第三坩埚,该第二蒸发源被置于所述薄膜形成室中与所述第一蒸发护罩相邻的第二蒸发护罩的下方,所述第一蒸发护罩和第二蒸发护罩的上部各自具有至少一个开孔;
沿传递方向将一基材输送进入所述薄膜形成室,从而使该基材连续通过所述第一蒸发护罩和第二蒸发护罩的上方;
在所述薄膜形成室中输送所述基材的同时加热所述第一蒸发源中的第一有机化合物和无机化合物,在所述基材上形成一层含第一有机化合物和无机化合物的第一层;
在形成所述第一层的过程中加热所述第一蒸发护罩;
在所述薄膜形成室中输送所述基材的同时加热所述第二蒸发源中的第二有机化合物,在所述第一层上形成含第二有机化合物的第二发光层;
在形成所述第二层的过程中加热所述第二蒸发护罩;
所述第一蒸发护罩和第二蒸发护罩中的开孔各自具有细长的形状,其细长的方向沿与所述传递方向垂直的第二方向排列。
14.如权利要求13所述的方法,其特征在于加热所述第一和第二蒸发护罩的步骤受一计算机控制。
15.如权利要求13所述的方法,其特征在于加热所述第一蒸发源和第二蒸发源的步骤是由电阻加热实现的。
16.如权利要求13所述的方法,其特征在于所述第一蒸发护罩和第二蒸发护罩的上部各自具有多个开孔。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
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H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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