[发明专利]近接式传感器

权利要求书

1.一种近接式传感器，其特征在于，包含：

一基板，其具有一发射端区域及一接收端区域；

一设于该基板的该发射端区域上的发射单元，其中，该发射单元用于发射具有特定波长的电磁信号；

一设于该基板的该接收端区域上的接收单元，其中，该接收单元用于回应该发射单元发出的电磁信号；

一设于该基板的该发射端区域与该接收端区域上的透明封装单元，其中，该透明封装单元覆盖于该发射单元及接收单元，该发射单元发出的电磁信号可穿透该透明封装单元；以及

一光遮蔽层，选择性地设于该基板与该透明封装单元的外表面，该光遮蔽层具有一对应该发射单元的发射窗口及一对应该接收单元的接收窗口；

其中，该发射窗口及该接收窗口对应地排列且朝向一预定的感测方向。

2.如权利要求1所述的近接式传感器，其特征在于，该光遮蔽层为一无电镀层。

3.如权利要求2所述的近接式传感器，其特征在于，该透明封装单元包括一设于该发射单元及接收单元之间的间隔结构。

4.如权利要求3所述的近接式传感器，其特征在于，该基板具有一设于该发射端区域与该接收端区域之间的分隔沟槽，该基板的该分隔沟槽对应于该透明封装单元的该间隔结构。

5.如权利要求4所述的近接式传感器，其特征在于，该光遮蔽层成型于该基板的该分隔沟槽的表面。

6.如权利要求2所述的近接式传感器，其特征在于，还包括至少一个以无电镀制作的导电接触结构。

7.如权利要求2所述的近接式传感器，其特征在于，该光遮蔽层还包括有一以无电镀制作的接地延伸结构。

8.如权利要求1所述的近接式传感器，其特征在于，该发射单元及接收单元在同一个频段范围中操作，所述的具有特定波长的电磁信号为红外光区段，所述的红外光区段的电磁信号能够穿透该透明封装单元。

9.一种近接式传感器，其特征在于，包含：

一基板，具有一发射端区域及一接收端区域；

一设于该基板的该发射端区域上的发射单元，其中，该发射单元用于发射具有特定波长的电磁信号；

一设于该基板的该接收端区域上的接收单元，其中，该接收单元用于接收并回应该发射单元发出的电磁信号；

一透明封装单元，其中，该发射单元发出的电磁信号能够穿透该透明封装单元；以及

一无电镀层，该无电镀层选择性地设于该基板与该透明封装单元的外表面，该无电镀层具有一对应该发射单元的发射窗口及一对应该接收单元的接收窗口。

10.如权利要求9所述的近接式传感器，其特征在于，该透明封装单元包括一设于该发射单元及接收单元之间的间隔结构。

11.如权利要求10所述的近接式传感器，其特征在于，该基板具有一设于该发射单元及接收单元之间的分隔沟槽，该基板的该分隔沟槽对应于该透明封装单元的该间隔结构。

12.如权利要求11所述的近接式传感器，其特征在于，该无电镀层成型于该基板的该分隔沟槽的表面。

13.如权利要求9所述的近接式传感器，其特征在于，该无电镀层还包括有一接地延伸结构。

14.如权利要求9所述的近接式传感器，其特征在于，还包括至少一个以无电镀制作的导电接触结构。

15.如权利要求9所述的近接式传感器，其特征在于，该发射单元及接收单元在同一个频段范围中操作，所述的具有特定波长的电磁信号为红外光区段，所述的红外光区段的电磁信号能够穿透该透明封装单元。