[发明专利]基于AZO/石墨烯/AZO结构的柔性电极及其制备无效
| 申请号: | 201110105083.7 | 申请日: | 2011-04-26 |
| 公开(公告)号: | CN102195006A | 公开(公告)日: | 2011-09-21 |
| 发明(设计)人: | 郭太良;李福山;张蓓蓓;吴朝兴;陈景水;于光龙;张永志 | 申请(专利权)人: | 福州大学 |
| 主分类号: | H01L51/54 | 分类号: | H01L51/54;H01L51/52;H01L51/56;C23C14/35;C23C14/08 |
| 代理公司: | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人: | 蔡学俊 |
| 地址: | 350001 福*** | 国省代码: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 基于 azo 石墨 结构 柔性 电极 及其 制备 | ||
1. 一种基于AZO/石墨烯/AZO结构的柔性电极,包括有导电电极的基板,以及夹在AZO导电电极之间的石墨烯膜层,其特征在于:所述的石墨烯膜层夹在AZO薄膜之间,所述的柔性电极为夹层结构。
2. 根据权利要求1所述的一种基于AZO/石墨烯/AZO结构的柔性电极,其特征在于:所述的AZO薄膜的厚度为100~200nm。
3. 一种如权利要求1所述的基于AZO/石墨烯/AZO结构的柔性电极的制备方法,其特征在于:所述制备方法包括如下步骤:
1)将石墨烯分散在去离子水中形成石墨烯悬浮液,其浓度为0.02mg/mL~0.5mg/mL,备用;
2)采用磁控溅射法在柔性聚对苯二甲酸乙二醇酯基板上镀AZO薄膜,AZO薄膜厚度为100~200nm;
3)在溅射有AZO的聚对苯二甲酸乙二醇酯基板上,利用步骤1)制备的石墨烯悬浮液,采用提拉法在样板上均匀地涂上一层石墨烯,晾干;
4)再次采用磁控溅射法,在经过步骤3)处理后的聚对苯二甲酸乙二醇酯基板上溅射AZO薄膜,AZO薄膜的厚度为100~200nm。
4.根据权利要求1所述的一种基于AZO/石墨烯/AZO结构的柔性电极的制备方法,其特征在于:所述步骤2)、4)中的磁控溅射法包括如下步骤:
(1)将AZO靶材与聚对苯二甲酸乙二醇酯基板放置于磁控溅射镀膜室中;抽低真空至2.9帕以下后开始抽高真空;当高真空度示数低于10-2帕时开启射频电源进行预热;
(2)当高真空显示示数低于2×10-3帕,并且射频电源预热自动停止时,调节Ar气流量计使辉光开启;
(3)启辉发生后立即将流量计示数调至18~25sccm,功率调至800~1100w;溅射镀膜即开始后开启旋转,使AZO薄膜溅射在聚对苯二甲酸乙二醇酯基板上。
5. 根据权利要求4所述的一种基于AZO/石墨烯/AZO结构的柔性电极的制备方法,其特征在于:所述步骤(3)的溅射镀膜时间为9~13min,所得的AZO薄膜厚度为100~200nm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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