[发明专利]基板制造方法、坯体制造方法、再生光掩模及其制造方法有效
| 申请号: | 201110098004.4 | 申请日: | 2011-04-19 |
| 公开(公告)号: | CN102221775A | 公开(公告)日: | 2011-10-19 |
| 发明(设计)人: | 土屋雅誉;藤本照彦 | 申请(专利权)人: | HOYA株式会社 |
| 主分类号: | G03F1/14 | 分类号: | G03F1/14;G03F1/08;G03F1/00;G03F7/00;G03F7/20 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;黄纶伟 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 制造 方法 体制 再生 光掩模 及其 | ||
技术领域
本发明涉及用于制造例如液晶显示装置等平板显示器(Flat Panel Display:以下称为FPD)等的再生光掩模用基板的制造方法、再生光掩模用坯体的制造方法、再生光掩模及其制造方法、以及图案转印方法。
背景技术
例如,液晶显示装置中使用的TFT(薄膜晶体管)基板是通过如下方式制造的:使用在透明基板的第1主表面上形成有包含转印用图案的膜图案的光掩模,而且还使用其他的光掩模,经过例如5次~6次的光刻工序,由此制造出上述TFT基板。另外,一般而言,在用于制造上述光掩模的光掩模用基板中,透明基板的第1主表面和第2主表面被研磨成为平坦且平滑。在专利文献1(日本特开2005-191352号公报)和专利文献2(日本特开2008-151916号公报)中公开了研磨光掩模用基板的主表面的方法。在专利文献1中,记载了EUV光刻中使用的研磨透明基板的方法。而在专利文献2中,记载了在大型光掩模基板的再生工序中研磨透明基板的表面的方法。
近年来,上述液晶显示装置制造用的光掩模正在向大型化发展。具体而言,大多使用一边为500mm以上的方形的光掩模,尤其在最近,一边为1000mm以上的方形的光掩模也不少见。其原因除了液晶显示装置自身的大型化以外,还在于对降低液晶显示装置生产成本的要求高。为了提高生产效率,比较有效的方法是使用大型的光掩模来减少转印次数。
此外,为了进一步提高液晶显示装置的生产效率,利用了这样的多色调光掩模:该多色调光掩模能够通过1个光掩模来进行相当于以往2个以上的光掩模的转印工序。例如,当使用多色调光掩模在被转印体上的抗蚀剂膜上进行图案转印时,能够通过一次转印工序来形成具有多个抗蚀剂残膜值的抗蚀剂图案。这种具有高附加价值的光掩模非常有助于液晶生产工序的高效化,但是光掩模的生产工序复杂,且制造成本容易增大。
有时,这些光掩模会由于重复使用而沾污,或者发生损伤而不能使用。此外,有时会随着规格变更而成为无用的光掩模。此时,发明人等认为:从降低制造成本和有效利用资源的方面出发,与废弃已经使用过的光掩模并制造新的光掩模的方式相比,重新利用已经使用过的光掩模来制造(再生)光掩模的方式更加有效。此外,在上述那样高级的光掩模(大尺寸掩模、多色调掩模)中,使用了大型且高价的透明基板,而如果能够重新利用这种透明基板,则能够得到特别显著的效果。
但是,为了利用从已经使用过的光掩模取得的透明基板来制造(再生)光掩模,有时需要重新研磨所取得的透明基板的主表面。这是因为,在从已经使用过的光掩模取得的透明基板上,有时会如上地发生损伤,从而不满足作为光掩模用基板的质量基准。但是以往,尚没有针对以下方面进行讨论,即:在再生光掩模时,为了使透明基板的各个主表面(表面侧和背面侧)的整个面均成为与新品大致同样的状态且不会对作为光掩模的功能造成障碍,实施怎样的处理比较好。例如,即使在每一侧的表面进行100μm左右的研磨量的研磨的情况下,也没有验证过这样的研磨是否是充分必要的,忽视了制造成本增大的问题。尤其是在透明基板大的情况下,研磨成本也容易增大。此外,包含有因研磨产生的玻璃的废液的量也变多,因此其处理负荷也变大。
发明内容
因此,本发明的目的在于,在利用已经使用过的光掩模来制造(再生)再生光掩模用基板的情况下,既能确保作为光掩模用基板的质量基准,又能降低其制造成本。
本发明的第1方式是一种再生光掩模用基板的制造方法,其利用了在透明基板的第1主表面上形成有包含转印用图案的膜图案的已经使用过的光掩模,其中,具有以下工序:去除所述膜图案的工序;以及对所述第1主表面和所述透明基板的第2主表面分别进行研磨的研磨工序,在所述研磨工序中,进行如下研磨量的研磨:该研磨量使得在所述再生光掩模的转印区域外,在所述第1主表面和所述第2主表面上,不残留300μm以上的大小的损伤缺陷,且残留2μm以上且小于300μm的大小的损伤缺陷,并且,该研磨量使得在所述再生光掩模的转印区域内,在所述第2主表面上,不残留100μm以上的大小的损伤缺陷。
本发明的第2方式是在第1方式所述的再生光掩模用基板的制造方法中,所述透明基板的厚度为3mm以上且10mm以下。
本发明的第3方式是在第1或第2方式所述的再生光掩模用基板的制造方法中,在所述研磨工序中,进行如下研磨量的研磨:所述第2主表面的研磨量使得在所述再生光掩模的转印区域内,在所述第2主表面上,残留2μm以上且小于100μm的大小的损伤缺陷。
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G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
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G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备





