[发明专利]基板制造方法、坯体制造方法、再生光掩模及其制造方法

权利要求书

1.一种再生光掩模用基板的制造方法，其利用了在透明基板的第1主表面上形成有包含转印用图案的膜图案的已经使用过的光掩模，该制造方法的特征在于，具有以下工序：

去除所述膜图案的工序；以及

对所述第1主表面和所述透明基板的第2主表面分别进行研磨的研磨工序，

在所述研磨工序中，进行如下研磨量的研磨：

该研磨量使得在所述再生光掩模的转印区域外，在所述第1主表面和所述第2主表面上，不残留300μm以上的大小的损伤缺陷，且残留2μm以上且小于300μm的大小的损伤缺陷，并且

该研磨量使得在所述再生光掩模的转印区域内，在所述第2主表面上，不残留100μm以上的大小的损伤缺陷。

2.根据权利要求1所述的再生光掩模用基板的制造方法，其特征在于，

所述透明基板的厚度为3mm以上且10mm以下。

3.根据权利要求1或2所述的再生光掩模用基板的制造方法，其特征在于，

在所述研磨工序中，

进行如下研磨量的研磨：所述第2主表面的研磨量使得在所述再生光掩模的转印区域内，在所述第2主表面上，残留2μm以上且小于100μm的大小的损伤缺陷。

4.根据权利要求1或2所述的再生光掩模用基板的制造方法，其特征在于，

所述再生光掩模在所述第1主表面中的所述转印区域外具有标记图案，

在所述研磨工序中，进行如下研磨量的研磨：

该研磨量使得在所述标记图案的形成区域内的所述第2主表面上，不残留100μm以上的大小的损伤缺陷。

5.根据权利要求1或2所述的再生光掩模用基板的制造方法，其特征在于，

在所述研磨工序中，

针对所述第1主表面进行的研磨的研磨量与针对所述第2主表面进行的研磨的研磨量相同。

6.根据权利要求1或2所述的再生光掩模用基板的制造方法，其特征在于，

在所述研磨工序中，

针对所述第1主表面进行的研磨的研磨量与针对所述第2主表面进行的研磨的研磨量分别为2μm以上且20μm以下。

7.根据权利要求1或2所述的再生光掩模用基板的制造方法，其特征在于，

在所述再生光掩模的转印区域内，在所述第1主表面中的所述转印区域内，不存在2μm以上的大小的损伤缺陷。

8.根据权利要求1或2所述的再生光掩模用基板的制造方法，其特征在于，

该制造方法在去除所述膜图案后，具有分别检查所述第1主表面和所述第2主表面的检查工序，

在所述检查工序中，

检查在所述转印区域外，在所述第1主表面和所述第2主表面上是否存在300μm以上的大小的损伤缺陷，并且检查在所述转印区域内，在所述第2主表面上是否存在100μm以上的大小的损伤缺陷，

如果至少在所述转印区域外的所述第1主表面和所述第2主表面上存在300μm以上的大小的损伤缺陷、或者在所述转印区域内的所述第2主表面上存在100μm以上的大小的损伤缺陷，则实施所述研磨工序。

9.根据权利要求8所述的再生光掩模用基板的制造方法，其特征在于，

在所述检查工序中，

在向所述转印区域外的所述第1主表面和所述第2主表面照射照度50勒克斯的照射光，并在该照明下目视到表示存在损伤缺陷的反射光、散射光的情况下，或者

在向所述转印区域内的所述第2主表面照射照度150勒克斯的照射光，并在该照明下目视到表示存在损伤缺陷的反射光、散射光的情况下，进行如下研磨量的研磨：

该研磨量使得在所述再生光掩模的转印区域外，在所述第1主表面和所述第2主表面上，不残留300μm以上的大小的损伤缺陷，且残留2μm以上且小于300μm的大小的损伤缺陷，并且

该研磨量使得在所述再生光掩模的转印区域内，在所述第2主表面上，不残留100μm以上的大小的损伤缺陷。