[发明专利]一种基于半导体填充金属波导结构的慢波结构

权利要求书

1.一种基于半导体填充金属波导结构的慢波结构，其特征在于，它包括金属波导管壁（1）和金属波导管中的填充的锥形高折射率半导体介质（3）。

2.根据权利要求1所述的慢波结构，其特征在于，导波在结构中传播时，其群速度随着导波的传输逐渐降低，并最终在某一部位停滞并反向耦合，且不同频率成分停滞部分并不相同。

3.按权利要求1和2所述慢波结构，其特征在于，所述金属波导管为形状是横截面为矩形、梯形、圆形或半圆形的空心柱体或空心台体。

4.按权利要求1、2、3所述的慢波结构，其特征在于，所述的填充半导体其形状是横截面为矩形、梯形、圆形或半圆形的柱体或台体，且其半导体与金属波导一壁面相接触或位于中心。

5.按权利要求1、2、3及4所述的慢波结构，其特征在于，所述的填充半导体介质材质为硅、砷化镓或锗。

6.按权利要求1、2、3、4及5所述的慢波结构，其特征在于，所述的结构工作在微波及太赫兹波频段。