[发明专利]光波导的外延制备方法

权利要求书

1.一种光波导的外延制备方法，包括：

一个带脊的硅片；

在所述硅片上沉积氧化层，所述氧化层覆盖了所述脊；

去除所述氧化层的一部分，从而在所述脊上形成一个窗口，所述窗口比所述脊更宽；

用选择性外延方法在所述窗口内、所述脊上沉积硅层，所述硅层构成位于所述脊上的第一硅岛的母体；

对所述硅层加工成形，得到所述第一硅岛。

2.根据权利要求1所述的一种光波导的外延制备方法，还包括在所述第一硅岛上制作第二硅岛。

3.根据权利要求2的一种光波导的外延制备方法，其中，所述第二硅岛的制备方法是，

在所述硅片上沉积第二氧化层，所述第二氧化层覆盖了所述脊和所述第一硅岛；

去除所述第二氧化层的一部分，以在所述第一硅岛上形成第二窗口，且所述第二窗口宽于所述第一硅岛；

用选择性外延方法，在所述第二窗口内，沉积位于所述第一硅岛上的第二硅层，所述第二硅层构成位于所述第一硅岛上的第二硅岛的母体；

对所述第二硅层加工成形，得到所述第二硅岛。

4.根据权利要求2所述的一种光波导的外延制备方法，其中，所述第二硅岛的制作方法是，

在所述硅片表面上的脊和第一硅岛的旁边沉积保护层，且所述保护层上表面与所述第一硅岛的上表面等高；

采用常规外延方法在所述硅片上沉积第二硅层；

对第二硅层加工成形，即去除第二硅层的一部分，其被保留的部分构成位于所述第一硅岛上的第二硅岛。

5.一种光波导的外延制备方法，包括：

一个带顶硅层的硅片，在所述硅层上沉积保护层，所述硅片的上表面由所述脊和所述保护层构成，所述保护层位于所述脊的旁边；

对所述硅片的上表面进行平坦化处理，使得所述保护层的上表面与所述脊的上表面等高；

采用常规外延工艺在所述硅片上沉积硅层，所述硅层由多晶硅和单晶硅构成，其中，所述单晶硅沉积在所述脊上，所述多晶硅沉积在所述保护层上；

对所述硅层加工成形，去除所述硅层的一部分，所述硅层的保留部分构成位于所述脊上的第一硅岛。

6.根据权利要求5所述的光波导的外延制备方法，其中所述保护层由氧化物或氮化物构成。

7.根据权利要求5所述的光波导的外延制备方法，其中，所述硅片的制作方法是，提供一个硅片，其包括顶硅层和覆盖在所述顶硅层上保护层；

去除所述保护层的一部分，在所述顶硅层裸露的上表面上得到一个窗口；

在所述窗口内用选择性外延方法，在所述顶硅层上沉积硅层，形成所述脊。

8.根据权利要求5所述的光波导的外延制备方法，还包括在所述第一硅岛上新增第二硅岛。

9.根据权利要求8所述的光波导的外延制备方法，其中，所述第二硅岛的制作方法是，在所述硅片上沉积氧化层，所述氧化层覆盖了所述脊和所述第一硅岛；

去除所述氧化层的一部分，在所述第一硅岛上制作一个窗口；

用选择性外延方法在所述窗口内、所述第一硅岛上沉积硅层，所述硅层构成位于所述第一硅岛上的第二硅岛的母体；

对所述硅层加工成形，得到所述第二硅岛。

10.根据权利要求8所述的光波导的外延制备方法，其中，所述第二硅岛的制作方法是，在所述第一硅岛旁边沉积第二保护层，所述硅片的上表面包括所述第一硅岛和所述第二保护层；

采用常规外延工艺在所述硅片上沉积第二硅层；

对所述第二硅层加工成形，去除所述第二硅层的一部分，所述第二硅层的保留部分构成位于所述第一硅岛上的第二硅岛。