[发明专利]一种制备氮化铝和氮化镓纳米棒异质结的方法

权利要求书

1.一种化学气相沉积制备氮化铝和氮化镓纳米棒异质结的方法，其特征在于所制备产物微观表面形貌为纳米棒的异质结阵列，宏观上为独立自支撑片状产物，并且通过以下两步制备途径实现。第一步，将装有一定量无水AlCl₃(纯度为质量百分比98％)粉末的陶瓷舟放置到水平管式炉内一定位置，在管内包覆石墨纸，密封水平管式炉后抽真空到到一定程度，然后通入Ar气氛，将水平管式炉升温到预定温度，将Ar流量调至预定流量，同时通入预定流量的NH₃气，将炉温升至预设温度，反应四小时，最后在Ar气保护下自然冷却到室温，在石墨衬底上可收集到独立自支撑的白色片状氮化铝产物；第二步，将装有金属Ga(纯度为质量百分比99.99％)的陶瓷舟放置在水平管式炉的中间作为反应源，将第一步反应产物片状AlN镀Au催化剂作为衬底放置在镓源下游，密封水平管式炉后抽真空到一定程度，然后在Ar氛围中升到预设温度，通入预定流量的NH₃，恒温反应1-2小时，最后在Ar气保护下自然冷却到室温，在衬底上得到氮化铝(AlN)和氮化镓(GaN)的纳米棒异质结的阵列。

2.如权利要求1所述，其特征在于，产物合成用化学气相沉积的方法在水平管式炉内进行，所使用原料为AlCl₃粉末和金属Ga，用NH₃气作为氮源。

3.如权利要求1所述，其特征在于，将第一步反应得到的独立自支撑的白色片状氮化铝纳米棒阵列产物作为衬底，在上面生长氮化镓的异质结。

4.如权利要求1所述，其特征在于，最终产物为自支撑的氮化镓包覆氮化铝的纳米棒异质结阵列。