[发明专利]具有光栅结构的发光二极管无效
| 申请号： | 201110090338.7 | 申请日： | 2011-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN102185065A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 王汉华;项艺;杨新民;靳彩霞;董志江 | 申请（专利权）人： | 武汉迪源光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 武汉帅丞知识产权代理有限公司 42220 | 代理人： | 朱必武;周瑾 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 光栅 结构 发光二极管 | ||
【权利要求书】：
1.一种具有光栅结构的发光二极管，包括依次设有的衬底、缓冲层、n型半导体层、有源层、p型半导体层和透明导电层，所述n型半导体层上设有n电极，所述p型半导体层上设有p电极，其特征在于：所述发光二极管出光面上具有弧形光栅阵列分布结构。
2.如权利要求1具有光栅结构的发光二极管，其特征在于：所述的出光面是透明导电层、p型半导体层或n型半导体层。
3.如权利要求1具有光栅结构的发光二极管，其特征在于：所述弧形光栅结构为周期性排列，周期为200nm～700nm，高度为50～200nm。
4.如权利要求1具有光栅结构的发光二极管，其特征在于：所述发光二极管的n型半导体和p型半导体同时具有弧形光栅阵列分布结构。
5.如权利要求1具有光栅结构的发光二极管，其特征在于：所述光栅结构为单一方向具有光栅结构，或为横向纵向两个方向具有光栅结构，或多个方向具有光栅结构。
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