[发明专利]光滑表面硅纳米线阵列的制备方法

权利要求书

1.一种长度可控的光滑表面硅纳米线阵列的制备方法，其特征在于，通过首先对硅片进行湿化学清洗，然后在含有氢氟酸和硝酸银的混合溶液中利用无电化学沉积法在硅片表面沉积银纳米颗粒层，经含有氢氟酸和双氧水的混合溶液进行化学刻蚀，最后用硝酸去除银纳米颗粒得到硅纳米线阵列。

2.根据权利要求1所述的长度可控的光滑表面硅纳米线阵列的制备方法，其特征是，所述的硅片是指：电阻率为0.01-0.03Ω·cm的p型(100)晶向电子级硅片。

3.根据权利要求1所述的长度可控的光滑表面硅纳米线阵列的制备方法，其特征是，所述的湿化学清洗是指：将硅片先依次用丙酮、无水乙醇、去离子水超声清洗各15分钟，然后依次用体积比为1∶1∶5的氨水∶双氧水∶水在85℃下煮15分钟，在质量分数为3％的氢氟酸中浸泡1分钟，再在体积比为1∶1∶5的盐酸∶双氧水∶水85℃下煮15分钟，最后依次用去离子水和稀氢氟酸溶液冲洗得到疏水表面的硅片。

4.根据权利要求1所述的长度可控的光滑表面硅纳米线阵列的制备方法，其特征是，所述的利用无电化学沉积法在硅片表面沉积银纳米颗粒层是指：将硅片在放入室温下浓度为4.0摩尔/升的氢氟酸和15.0毫摩尔/升的硝酸银的水溶液中60-120秒后迅速取出，使得硅片表面均匀沉积一层银纳米颗粒。

5.根据权利要求1所述的长度可控的光滑表面硅纳米线阵列的制备方法，其特征是，所述的化学刻蚀是指：将沉积好银纳米颗粒层的硅片先在去离子水中浸洗，然后浸入含有氢氟酸和双氧水的混合溶液中进行刻蚀，其中：氢氟酸的浓度为5.0摩尔/升，双氧水的浓度为0.02到8.0摩尔/升，整个反应在室温条件下进行并在光致发光的表征中利用波长为514.5纳米的激光作为激发光。

6.根据权利要求1所述的长度可控的光滑表面硅纳米线阵列的制备方法，其特征是，所述的用硝酸去除银纳米颗粒是指：先用质量分数为65％硝酸溶液淋洗硅片以去掉其表面的银纳米颗粒，然后再用去离子水冲洗并在烘箱中60℃烘干。