[发明专利]一种发光二极管器件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201110076468.5 申请日: 2011-03-29
公开(公告)号: CN102185091A 公开(公告)日: 2011-09-14
发明(设计)人: 王瑞珍;赖燃兴;曹健兴;周玉刚;肖国伟;陈海英 申请(专利权)人: 晶科电子(广州)有限公司
主分类号: H01L33/62 分类号: H01L33/62;H01L33/64;H01L33/00
代理公司: 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 代理人: 罗毅萍
地址: 511458 广东省广州*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 发光二极管 器件 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种发光二极管器件,其特征在于:包括

——至少一LED芯片,该LED芯片具有一N极和一P极,在该N极和P极的表面覆盖一电极层,其中,该N极和P极表面的电极层的厚度相同;

——电路板,该电路板的上表面覆盖一绝缘层,该绝缘层的上表面覆盖一导电层,在该导电层对应该LED芯片的N极的区域的上表面设置有一金属层,该金属层的厚度为该LED芯片的N极与P极之间的高度差;

该LED芯片倒装设置在该电路板的上,其中,该LED芯片的P极通过电极层与导电层连接,该LED芯片的N极通过电极层和金属层与导电层连接。

2.根据权利要求1所述的发光二极管器件,其特征在于:还包括一反光杯,该反光杯的收容空间的表面设置有一反射层,该电路板的导电层的上表面还设置一介电层,该反射杯设置在该介电层上,并使LED芯片位于该反光杯的收容空间内。

3.根据权利要求2所述的发光二极管器件,其特征在于:进一步包括一封装透镜,其设置在该反射杯的上方将该LED芯片密封在反射杯的收容空间内。

4.根据权利要求1所述的发光二极管器件,其特征在于:该LED芯片还包括金属焊垫,其覆盖在N极和P极的电极层的表面,该LED芯片的P极通过电极层和金属焊垫与导电层连接,该LED芯片的N极通过电极层和金属焊垫以及金属层与导电层连接。

5.根据权利要求1所述的发光二极管器件,其特征在于:该金属层的材料为锡、金、银、镍或铜的单一金属材料,或由上述单一金属材料组成的多层材料或合金。

6.根据权利要求1所述的发光二极管器件,其特征在于:该导电层的材料为铜、铝、镍金属或有机聚合物导电材料。

7.根据权利要求4所述的发光二极管器件,其特征在于:该LED芯片上的电极层和金属焊垫的材料是铅、锡、金、银、镍或铜单一金属材料、或由上述单一金属材料组成的多层材料或合金。

8.一种发光二极管器件的制造方法,其特征在于:包括如下步骤

步骤S1:制造LED芯片,在蓝宝石衬底上生长有多层氮化镓的外延圆片,经过光刻、刻蚀、金属层沉积和钝化层保护的系列工艺步骤,在LED芯片上形成P极和N极,然后在P极和N极的表面形成电极层;

步骤S2:制造电路板,在电路板的上表面覆盖一绝缘层,然后在该绝缘层的上表面覆盖一导电层,接着在该导电层的表面形成一金属层;

步骤S3:将LED芯片倒装在该电路板上,且使该LED芯片的P极对应的电极层与该电路板上的导电层连接,使该LED芯片的N极对应的电极层与该电路板上的金属层连接。

9.根据权利要求8所述的制造方法,其特征在于:该步骤S2还包括步骤:在该导电层的表面形成一介电层;在该步骤S3之前或之后还包括步骤:将一反射杯设置在该电路板的介电层上表面,并使该LED芯片位于该反射杯的收容空间内。

10.根据权利要求8所述的制造方法,其特征在于:该步骤S1还包括步骤:在该电极层表面形成金属焊垫;该步骤S3的步骤替换为:将LED芯片倒装在该电路板上,且使该LED芯片的P极对应的电极层与该电路板上的金属焊垫连接,使该LED芯片的N极对应的电极层与该电路板上的金属焊垫连接。

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