[发明专利]一种SU-8胶微力传感器的制作方法无效
| 申请号： | 201110075587.9 | 申请日： | 2011-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN102249181A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 褚金奎;陈兆鹏;张然 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人： | 梅洪玉 |
| 地址： | 116024 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 su 胶微力 传感器 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种SU-8胶微力传感器的制作方法，其特征包括以下步骤：
(1)第一次涂胶：在硅片上生长一层氧化层，然后旋涂一层Omnicoat胶，所述的硅片为单晶硅片或多晶硅片，可以用玻璃代替硅片与氧化层作为衬底；
(2)第二次涂胶：在Omnicoat胶上旋涂一层SU-8胶；
(3)第一次曝光、显影：采用紫外线曝光，实现图形从掩模板A到SU-8胶上的转移，然后用SU-8胶专用显影液对曝光后的SU-8胶进行显影，得到SU-8胶结构体；
(4)溅射：在SU-8胶结构体上溅射一层金属；
(5)第三次涂胶：在铜层上旋涂一层正胶；
(6)第二次曝光、显影：采用紫外线曝光，实现图形从掩模板B到正胶上的转移，然后用正胶显影液对曝光后的正胶进行显影，得到正胶结构体；
(7)腐蚀、释放：以正胶结构体为掩模，用硝酸溶液对金属铜层进行腐蚀，得到电极和压阻结构层；采用丙酮溶液腐蚀掉Omnicoat胶和正胶结构体。
2.根据权利要求1所述的一种SU-8胶微力传感器的制作方法，其特征在于，所述步骤(1)中在不使用Omnicoat胶时，直接使用氧化层作为牺牲层。
3.根据权利要求1所述的一种SU-8胶微力传感器的制作方法，其特征在于，所述步骤(4)中的金属是铜、金、钛或镍。
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