[发明专利]热稳定性镍基硅化物源漏MOSFETs及其制造方法

权利要求书

1.一种制造热稳定性镍基金属硅化物源漏MOSFETs的方法，包括：

在栅极结构和隔离侧墙两侧的衬底中形成非晶层；

对所述非晶层进行掺杂离子注入；

执行第一退火以形成重结晶层，所述掺杂离子固定在所述重结晶层内；以及

在所述重结晶层上形成镍基金属硅化物源漏区。

2.如权利要求1所述的方法，其中形成非晶层的步骤包括，对所述衬底进行预非晶化离子注入。

3.如权利要求2所述的方法，其中，所述预非晶化采用的离子包括Ge、Si、B、P、As或其组合。

4.如权利要求2所述的方法，其中，所述预非晶化离子的剂量为1×10¹⁵至1×10¹⁷cm^-2。

5.如权利要求1所述的方法，其中，所述掺杂离子包括C、N、F或其组合。

6.如权利要求1所述的方法，其中，所述掺杂离子的剂量为1×10¹⁵至1×10¹⁷cm^-2。

7.如权利要求1所述的方法，其中，形成镍基金属硅化物源漏区的步骤包括，在所述重结晶层上沉积镍基金属，执行第二退火以形成所述镍基金属硅化物源漏区。

8.如权利要求7所述的方法，其中，所述镍基金属为Ni、Ni-Co、Ni-Pt或Ni-Pt-Co，所述镍基金属硅化物源漏区中的镍基金属硅化物为NiSi、NiPtSi、NiCoSi或NiPtCoSi。

9.如权利要求7所述的方法，其中，所述镍基金属厚度为1至30nm。

10.如权利要求7所述的方法，其中，所述第二退火为一步退火或两步退火。

11.如权利要求7所述的方法，还包括，在形成所述镍基金属硅化物源漏区之后，进行源漏区掺杂离子注入。

12.如权利要求11所述的方法，其中，对于pMOS而言，所述源漏区掺杂离子为B、Al、In或其组合；对于nMOS而言，所述源漏区掺杂离子为P、As或其组合。

13.如权利要求11所述的方法，还包括，在进行所述镍基金属硅化物源漏区掺杂离子注入之后，执行第三退火，在所述镍基金属硅化物源漏区与所述沟道的界面处形成源漏区掺杂离子的分凝区。

14.一种热稳定性镍基金属硅化物源漏MOSFETs，包括：衬底、位于所述衬底中的沟道区、位于所述沟道区两侧的重结晶层、镍基金属硅化物源漏区、位于所述沟道区上的栅极结构以及位于所述栅极结构两侧的隔离侧墙，其特征在于：所述镍基金属硅化物源漏区位于所述重结晶层上，所述重结晶层中包含掺杂离子。

15.如权利要求14所述的MOSFETs，其中在所述镍基金属硅化物源漏区与所述沟道的界面处具有源漏区掺杂离子的分凝区。

16.如权利要求15所述的MOSFETs，其中，对于pMOS而言，所述镍基金属硅化物源漏区掺杂离子为B、Al、In或其组合；对于nMOS而言，所述镍基金属硅化物源漏区掺杂离子为P、As或其组合。

17.如权利要求14所述的MOSFETs，其中，所述镍基金属硅化物为NiSi、NiPtSi、NiCoSi或NiPtCoSi。

18.如权利要求14所述的MOSFETs，其中，所述掺杂离子包括C、N、F或其组合。

19.如权利要求14所述的MOSFETs，其中，所述掺杂离子的剂量为1×10¹⁵至1×10¹⁷cm^-2。