[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括具有形成第一pn结合部的第一半导体 区域和第二半导体区域的静电放电保护元件，上述第一半导体区域和 第二半导体区域位于浅槽隔离区域之间，其特征在于，包括：

在上述静电放电保护元件上方形成的第一金属层，上述第一金属 层在上述浅槽隔离区域所包围的区域之外的位置与垫片电连接，和

在上述浅槽隔离区域之间的位置与上述第一半导体区域和上述第 一金属层连接的多个第一接点，

上述第一金属层具有：沿向上述第一pn结合部延伸的第一方向延 伸的至少1根第一金属配线；和与上述第一金属配线交叉的多根第二 金属配线，

上述第一接点与上述第一金属配线和上述第二金属配线交叉的交 叉部连接。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

上述第一金属层和上述第一接点是静电放电电流的传导路径。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

上述第一半导体区域在表面部分有硅化物层，

上述第一接点与上述硅化物层连接。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

上述静电放电保护元件还具有与上述第二半导体区域形成第二pn 结合部的第三半导体区域，

上述第三半导体区域与接地区域或电源区域电连接。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，还具有：

上述静电放电保护元件上方形成的第二金属层；和

在上述浅槽隔离区域之间的位置与上述第三半导体区域和上述第 二金属层连接的多个第二接点，

上述第二金属层和上述第二接点不会出现热浮动状态，

上述第二金属层具有：将上述多个第二接点中至少1个第二接点 传导来的热，从该金属层与上述至少1个第二接点的连接部，向上述 第二pn结合部延伸的第二方向、和与上述第二方向交叉的第三方向同 时扩散的扩散路径，

上述扩散路径形成向半导体装置外部传导热的传导路径的一部 分。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于：

上述第二金属层具有：沿上述第二方向延伸的至少1根第三金属 配线，和与上述第三金属配线交叉的多根第四金属配线，

上述第二接点与上述第三金属配线和上述第四金属配线交叉的交 叉部连接。

7.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于：

上述第二金属层与接地区域或电源区域电连接，

上述第二金属层和上述第二接点是静电放电电流的传导路径。

8.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于：

上述第三半导体区域在表面部分有硅化物层，

上述第二接点与上述硅化物层连接。

9.根据权利要求4至8中任一项所述的半导体装置，其特征在于：

上述第一半导体区域是漏极区域，

上述第二半导体区域是通道区域，

上述第三半导体区域是源极区域，

上述静电放电保护元件具有金属氧化物膜半导体场效应晶体管构 造，该构造在上述第二半导体区域上还具有栅极绝缘膜和栅电极。