[发明专利]MMC基负温度系数功率型NTCR新型热敏电阻元件有效
| 申请号： | 201110069320.9 | 申请日： | 2011-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN102254657A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 牛顺祥;段世昌;曹全喜 | 申请（专利权）人： | 陕西华龙敏感电子元件有限责任公司 |
| 主分类号： | H01C7/04 | 分类号： | H01C7/04;C04B35/01;C04B35/622;C04B41/88 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 715400 陕西省韩*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mmc 温度 系数 功率 ntcr 新型 热敏电阻 元件 | ||
【权利要求书】：
1.一种MMC基负温度系数功率型NTCR新型热敏电阻元件，其特征是：200只MMC基负温度系数功率型NTCR新型热敏电阻元件的原材料由氧化镁23克、氧化锰64.8克、氧化铜12.2克和助燃剂氧化硅0.15克、氧化钙0.2克与辅料硅树脂0.2克、8％的聚乙稀醇组成。
2.如权利要求1所述MMC基负温度系数功率型NTCR新型热敏电阻元件的加工方法，其特征是：首先按配方要求的材料比例进行备料，再在炉体中分别将氧化镁、氧化锰、氧化铜、氧化硅、氧化钙以300℃预处理30分钟后，又分别粉碎过500目筛后混合后成细粉原料，按原料∶磨球∶水以1∶2∶2比例加水，在球磨罐中混磨36小时，出料浆并烘干后加聚乙稀醇造粒压制成所需坯径片，再在12米长自动回转式推板隧道炉内经200℃-600℃-800℃-850℃-950℃-1100℃-1130℃温度随炉冷却进行烧结，在推进速度为350mm/h出炉后形成MMC基半导体瓷片，最后在瓷片上、下面用丝网印刷上银浆，经烧结后形成银电极芯片，再将两根引线插接在芯片上，然后在290℃锡锅中浸焊后得有引线的芯片；包封绝缘材料硅树脂并固化后得MMC基负温度系数功率型NTCR新型热敏电阻元件。
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