[发明专利]太阳能光伏逆变器拓扑电路无效
| 申请号: | 201110066830.0 | 申请日: | 2011-03-18 |
| 公开(公告)号: | CN102684523A | 公开(公告)日: | 2012-09-19 |
| 发明(设计)人: | 沈永兵;徐进;黄景春 | 申请(专利权)人: | 上海神飞能源科技有限公司 |
| 主分类号: | H02M7/48 | 分类号: | H02M7/48;H02M3/155;H02M7/5387;H02M1/44 |
| 代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人: | 胡美强 |
| 地址: | 201617 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 太阳能 逆变器 拓扑 电路 | ||
技术领域
本发明涉及一种逆变器,特别涉及一种太阳能光伏逆变器拓扑电路。
背景技术
随着二十一世纪世界日益严重的能源短缺和环境污染问题,可再生的清洁能源发展和应用越来越受到世界各国政府的广泛关注;上世纪八十年代以来,太阳能光伏发电技术得到了高速的发展,太阳能光伏并网发电方式已经成为利用太阳能的主要方式之一;开展太阳能光伏发电并网逆变系统和高性能分布式发电系统的研究,对于开拓广阔的光伏发电市场、掌握电力电子领域的先进技术、缓解能源和环境问题,具有非常深远的意义。
目前并网型太阳能光伏逆变器拓扑电路常用的主电路拓扑结构有二种:一种是如图1所示的带工频隔离变压器的太阳能光伏逆变器拓扑电路的拓扑结构,另一种是如图2所示的带高频隔离变压器的太阳能光伏逆变器拓扑电路的拓扑结构。如图1所示,太阳能电池板输出的直流电压,通过由电感L、第五IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管)功率开关Q5、第五续流二极管D5、嵌位二极管D、电容C组成直流升压电路;经过由第一IGBT功率开关Q1、第二IGBT功率开关Q2、第三IGBT功率开关Q3、第四IGBT功率开关Q4、第一续流二极管D1、第二续流二极管D2、第三续流二极管D3、第四续流二极管D4构成的全桥逆变电路逆变,再经过由工频变压器隔离实现交流电的输出,输出交流电经过由第一扼流电感L1、第一电容C1组成的低通滤波器滤波后并网输出;这种并网型拓扑结构有以下几个缺点:一、由于使用工频隔离变压器,使得逆变器的成本较高。二、工频隔离变压器,减低了逆变器的转换效率。三、由于使用工频隔离变压器,增加了逆变器的重量。
如图2所示,太阳能电池板输出的直流电压,通过由电感L、第五IGBT功率开关Q5、第五续流二极管D5、嵌位二极管D、电容C组成直流升压电路;经过由第一IGBT功率开关Q1、第二IGBT功率开关Q2、第三IGBT功率开关Q3、第四IGBT功率开关Q4、第一续流二极管D1、第二续流二极管D2、第三续流二极管D3、第四续流二极管D4构成的全桥逆变电路逆变;再经由第一扼流电感L1、第二扼流电感L2、第一电容C1组成的导抗交换器与高频变压器T1相连输出交流电;再经由第六嵌位二极管D6、第七嵌位二极管D7、第八嵌位二极管D8、第九嵌位二极管D9、第十嵌位二极管D10、第十一嵌位二极管D11、第十二嵌位二极管D12、第十三嵌位二极管D13和第六IBGB功率开关Q6、第七IBGB功率开关Q7、第八IBGB功率开关Q8、第九IBGB功率开关Q9组成的工频转换器实现交流电输出;最后经由第三电感L3和第二电容C2组成的低通滤波器滤波后并网输出;这种并网型拓扑结构有以下几个缺点:一、由于使用高频隔离变压器,同样存在效率损耗、重量等问题。二、由于使用工频变换器,增加了光伏逆变器的成本。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种太阳能光伏逆变器拓扑电路,其通过将太阳能电池输出电压先进行太阳能最大功率点追踪器的直流升压电路后,再经过直流转化交流逆变电路得到交流电直接并网,从而减少了逆变器逆变过程的损耗。
为解决所述技术问题,本发明提供了一种太阳能光伏逆变器拓扑电路,太阳能光伏逆变器拓扑电路包括直流升压电路,其特征在于,太阳能光伏逆变器拓扑电路还包括直流转化交流逆变电路和电磁兼容性滤波器,直流升压电路和一个太阳能电池板、直流转化交流逆变电路连接,直流转化交流逆变电路和电磁兼容性滤波器连接,电磁兼容性滤波器和一个电网连接。
优选地,所述直流升压电路包括电感、第八IGBT功率开关、第八续流二极管、第七IGBT功率开关、第七续流二极管和电容,太阳能电池板与电感串联,太阳能电池板与第八IGBT功率开关、第八续流二极管、第七IGBT功率开关、第七续流二极管和电容并联。
优选地,所述直流转化交流逆变电路包括第一IGBT功率开关、第二IGBT功率开关、第三IGBT功率开关、第四IGBT功率开关、第五IGBT功率开关、第六IGBT功率开关、第一续流二极管、第二续流二极管、第三续流二极管、第四续流二极管、第五续流二极管、第六续流二极管,第一IGBT功率开关和第一续流二极管并联,第二IGBT功率开关和第二续流二极管并联,第三IGBT功率开关和第三续流二极管并联,第四IGBT功率开关和第四续流二极管并联,第五IGBT功率开关和第五续流二极管并联,第六IGBT功率开关和第六续流二极管并联,第五IGBT功率开关和第八IGBT功率开关串联,第七IGBT功率开关和第六IGBT功率开关串联。
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