[发明专利]高透型低辐射镀膜玻璃及其制备方法

权利要求书

1.高透型低辐射镀膜玻璃，其特征是：在玻璃基片(1)的表面从下至上依次设置电介质层I(2)、镍铬合金层I(3)、银层(4)、镍铬合金层II(5)和电介质层II(6)；所述电介质层I(2)与玻璃基片(1)的表面相连；所述电介质层I(2)和电介质层II(6)均为氧化锌的锡酸盐层。

2.根据权利要求1所述的高透型低辐射镀膜玻璃，其特征是：所述玻璃基片(1)的厚度为4～12mm。

3.根据权利要求1或2所述的高透型低辐射镀膜玻璃，其特征是：所述电介质层I(2)、镍铬合金层I(3)、银层(4)、镍铬合金层II(5)和电介质层II(6)的厚度依次为42～46nm、0.7～0.9nm、8～10nm、0.7～0.9nm和30～34nm。

4.如权利要求1～3中任意一种高透型低辐射镀膜玻璃的制备方法，其特征是依次进行以下步骤：

1)、配制镀层材料：

电介质层I(2)和电介质层II(6)采用锡和锌混合的浇铸圆柱型靶作为靶材，所述Zn∶Sn的重量比为＝50∶50；

镍铬合金层I(3)和镍铬合金层II(5)采用镍铬合金作为靶材，所述镍∶铬的重量比为80∶20；

银层(4)采用银作为靶材；

2)、在平面磁控镀膜机中，使本体真空压力低于1.0×10^-5Torr，镀膜室I～镀膜室V内的溅射压力为1.7×10^-3Torr～3.0×10^-3Torr；将玻璃基片(1)分别依次进行以下操作：

①、将玻璃基片(1)送入镀膜室I内，在镀膜室I内设置锡和锌混合的浇铸圆柱型靶，采用旋转靶的方式，控制方式采用中频电源溅射；将O₂∶Ar＝2∶1的流量比通入镀膜室I内；从而在玻璃基片(1)上形成膜层厚度为42～46nm的ZnSnO₃层作为电介质层I(2)；

②、将步骤①的所得物送入镀膜室II内，在镀膜室II内设置镍铬合金作为靶材，控制方式采用直流电源溅射；将Ar通入镀膜室II内；从而在电介质层I(2)上形成膜层厚度为0.7～0.9nm的镍铬合金层I(3)；

③、将步骤②的所得物送入镀膜室III内，在镀膜室III内设置银作为靶材，控制方式采用直流电源溅射；将Ar通入镀膜室III内；从而在镍铬合金层I(3)上形成膜层厚度为8～10nm的银层(4)；

④、将步骤③的所得物送入镀膜室IV内，在镀膜室IV内设置镍铬合金作为靶材，控制方式采用直流电源溅射；将Ar通入镀膜室IV内；从而在银层(4)上形成膜层厚度为0.7～0.9nm的镍铬合金层II(5)；

⑤、将步骤④的所得物送入镀膜室V内，在镀膜室V内设置锡和锌混合的浇铸圆柱型靶，采用旋转靶的方式，控制方式采用中频电源溅射；将O₂∶Ar＝2∶1的流量比通入镀膜室V内；从而在镍铬合金层II(5)上形成膜层厚度为30～34nm的ZnSnO₃层作为电介质层II(6)。