[发明专利]一种多晶硅还原炉内衬涂层的制备方法有效
| 申请号： | 201110060199.3 | 申请日： | 2011-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN102674679B | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | 胡倾宇 | 申请（专利权）人： | 胡倾宇 |
| 主分类号： | C03B33/03 | 分类号： | C03B33/03 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 110006 辽宁省沈阳*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 还原 内衬 涂层 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种多晶硅还原炉炉体内侧炉壁涂层的制备方法，特征在于：
(1)是一种金属陶瓷涂层，或
(2)是几层不同种类的金属陶瓷涂层的组合；
所述金属陶瓷涂层包括氮化钛TiNx，碳化钛TiC，碳氮化钛TiCN和氮化铝AlN；
所述金属陶瓷涂层由物理气相沉积(PVD)或者化学气相沉积(CVD)方法在300-600℃之间的温度制备，金属陶瓷涂层总厚度为1至10微米。
2.根据权利要求1所述多晶硅还原炉炉体内侧炉壁涂层的制备方法，其特征在于，多晶硅还原炉为改良西门子法多晶硅还原炉或硅烷法多晶硅还原炉。
3.根据权利要求1所述多晶硅还原炉炉体内侧炉壁涂层的制备方法，其特征在于，所述物理气相沉积包括真空电子束蒸发、直流磁控溅射、射频磁控溅射、离子束溅射、电弧离子镀、空心阴极离子镀、脉冲激光沉积。
4.根据权利要求1所述多晶硅还原炉炉体内侧炉壁涂层的制备方法，其特征在于，所述化学气相沉积包括低压化学气相沉积、激光辅助化学气相沉积、等离子体增强化学气相沉积、金属有机化合物化学气相沉积。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于胡倾宇，未经胡倾宇许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110060199.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种植物油防卡润滑剂的制备方法
- 下一篇：用于提取汁液的设备
