[发明专利]发光二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管，其包括基板、第一n型氮化镓层、连接层、第二n型氮化镓层、发光层、p型氮化镓层、p型电极及n型电极，所述第一n型氮化镓层、连接层、第二n型氮化镓层依次形成于所述基板上，所述第二n型氮化镓层具有一个远离基板的顶面，该顶面包括一个第一区域及一个第二区域，所述发光层、p型氮化镓层和p型电极依次形成于所述第一区域上，所述n型电极形成在所述第二区域上，所述发光二极管还具有多个依次贯穿所述p型氮化镓层、发光层及第二n型氮化镓层以裸露出连接层的盲孔，所述第二n型氮化镓层面向连接层的底面为反向极化氮化镓，且该底面环绕每个盲孔形成一粗化环形裸露区。

2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一n型氮化镓层远离基板的表面为正常极化氮化镓。

3.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述连接层能够被减性溶液蚀刻。

4.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第二n型氮化镓层的底面周缘有裸露的粗化表面。

5.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述连接层的材质选自氮化铝、二氧化硅或氮化硅。

6.一种发光二极管的制造方法，包括以下步骤：

a：提供一基板；

b：在所述基板上依次成长形成第一n型氮化镓层、连接层、第二n型氮化镓层、发光层和p型氮化镓层，所述第二n型氮化镓层面向连接层的底面为反向极化氮化镓；

c：蚀刻所述p型氮化镓层和发光层直至裸露出部分第二n型氮化镓层；

d：在p型氮化镓层上形成p型电极及在所述第二n型氮化镓层的裸露区域上形成n型电极；

e：形成多个依次贯穿所述p型氮化镓层、发光层及第二n型氮化镓层以裸露出连接层的盲孔；及

f：采用碱性溶液对从盲孔裸露之连接层进行蚀刻以裸露出第二n型氮化镓层的部分底面，并采用所述碱性溶液对裸露出的第二n型氮化镓层的底面进行蚀刻以形成粗化表面。

7.如权利要求6所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述步骤e、f位于步骤c和d之前。

8.如权利要求6所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述步骤f还包括对从连接层周缘裸露之连接层进行蚀刻以裸露出第二n型氮化镓层的部分底面，并采用所述碱性溶液对该裸露出的第二n型氮化镓层的底面进行蚀刻以形成粗化表面。

9.一种发光二极管的制造方法，包括以下步骤：

提供一基板；

在所述基板上依次成长形成第一n型氮化镓层、连接层、第二n型氮化镓层、发光层和p型氮化镓层，所述第一n型氮化镓层、连接层、第二n型氮化镓层、发光层和p型氮化镓层构成一半导体层，该半导体层包括多个发光单元，所述第二n型氮化镓层面向连接层的底面为反向极化氮化镓；

蚀刻所述每个发光单元上的透明导电层、p型氮化镓层和发光层直至裸露出部分第二n型氮化镓层；

在上述每个发光单元的透明导电层和第二n型氮化镓层裸露区域上分别形成p型电极及n型电极，从而得到多个发光二极管；

在每个发光二极管上形成多个依次贯穿所述p型氮化镓层、发光层及第二n型氮化镓层以裸露出连接层的盲孔；

采用碱性溶液对从盲孔裸露之连接层进行蚀刻以裸露出第二n型氮化镓层的部分底面，并采用所述碱性溶液对裸露出的第二n型氮化镓层的底面进行蚀刻以形成粗化表面；及

切割分离所述多个发光二极管。

10.如权利要求9所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述发光二极管的制造方法还包括在所述半导体层上形成多个切割道，该多个切割道将半导体层分割成多个发光单元，所述切割道依次贯穿p型氮化镓层、发光层及第二n型氮化镓层以裸露出连接层；及对从切割道裸露之连接层进行蚀刻以裸露出第二n型氮化镓层的部分底面，并采用所述碱性溶液对该裸露出的第二n型氮化镓层的底面进行蚀刻以形成粗化表面。