[发明专利]新型温度梯度晶体定向生长方法

说明书

技术领域

本发明涉及晶体生长领域，特别是一种新型温度梯度晶体定向生长方法。

背景技术

随着光通讯、激光工业、太阳能和LED产业的发展，需要的各种光功能晶体材料的质量和尺寸越来越大。目前生长大尺寸高质量的光功能晶体尤其是高温氧化物晶体主要采用热交换法(HEM)、温梯法(TGT)、坩埚下降法，以上方法都或多或少存在一定的局限性，不能很好的实现温度梯度精确的控制，影响了晶体的工业化生产。

发明内容

本发明所解决的技术问题在于提供一种解决大尺寸高温氧化物晶体的研发和生长困难问题，通过强大的可调节设计来调节温场，方便的得到不同晶体生长所需要的高温和温度分布，从而提高了研发和生产的效率，使晶体尺寸和质量得到提高，提高设备利用率的新型温度梯度晶体定向生长方法。

本发明所解决的技术问题采用以下技术方案来实现：

一种新型温度梯度晶体定向生长方法，其特征在于：把加热体在垂直方向上，分成1～N组(N＝2～1000)，每组加热体都可以独立进行0～100％的功率控制，利用每组加热体功率不同的分布组合可以方便的实现温度梯度的分布，进行不同晶体的生长；可以模拟实现温度梯度法(TGT)、热交换法(HEM)和坩埚下降法生产晶体。有益效果是通过调节功率实现不同梯度来调节温场，可以方便的得到不同晶体生长所需要的高温和温度分布，从而提高了研发和生产的效率，使晶体尺寸和质量得到提高，同时提高了设备的利用率。

所述新型温度梯度晶体定向生长方法，其特征在于：所述的加热体可以是电阻加热、感应加热、激光加热、红外加热或流体传导加热。

本发明的有益效果是通过调节各组加热体的功率来实现梯度分布来调节温场，可以方便的得到不同晶体生长所需要的高温和温度分布，从而提高了研发和生产的效率，使晶体尺寸和质量得到提高，提高了设备的利用率。

附图说明

图1为本发明新型温度梯度晶体定向生长方法原理示意图。

具体实施方式

为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示，进一步阐述本发明。

如图一所示，在整个温场发热体(可是水平或垂直)中，把发热体按工艺特点分割成N部分(N＝2～100)，每一部分都可以在0～100％独立控制功率；根据所需的温度梯度特点，控制每组不同发热体的功率，功率分布按一定的规律分布，就可以方便的实现温度梯度的分布。

为实现该原理更大的通用性，发热体的加热原理上可以是电阻加热、感应加热、激光加热、红外加热、流体传导加热或几种加热的组合。

以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。