[发明专利]一种调控氧化还原电位提高废旧锂离子电池中金属浸出率的方法无效
| 申请号: | 201110050407.1 | 申请日: | 2011-03-03 |
| 公开(公告)号: | CN102134642A | 公开(公告)日: | 2011-07-27 |
| 发明(设计)人: | 曾桂生;邓孝荣;李明俊;罗胜联;邹建平;谢宇 | 申请(专利权)人: | 南昌航空大学 |
| 主分类号: | C22B3/18 | 分类号: | C22B3/18;C22B7/00 |
| 代理公司: | 南昌洪达专利事务所 36111 | 代理人: | 刘凌峰 |
| 地址: | 330000 江西省*** | 国省代码: | 江西;36 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 调控 氧化 还原 电位 提高 废旧 锂离子电池 金属 浸出 方法 | ||
1. 一种调控氧化还原电位提高废旧锂离子电池中金属浸出率的方法,其特征是方法步骤为:
(1)将废弃锂离子电池除去外壳,取出铝箔,对电池正极材料破碎至100~200目,得电池粉末钴酸锂;
(2)浸出培养基按重量体积比为:(NH4)2SO4 3.0g/L,KCl0.1 g/L, K2HPO4 0.5g/L,MgSO4.7H2O 0.5g/L,Ca(NO3)2 0. 01g/L,FeSO4.7H2O 25g/L, pH为2.0;
(3)按10%接种量接种嗜酸氧化亚铁硫杆菌,1%的固液比加入粒度为100~200目的钴酸锂粉末并加入金属离子Cu2+或Ag+,温度控制为30℃恒温,转速为180r/min在恒温振荡箱中振荡培养,利用氧化还原电极测定氧化还原电位,控制浸出溶液氧化还原电位在400mV以上。
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