[发明专利]栅极的形成方法

权利要求书

1.一种栅极的形成方法，其特征在于，包括：

在基底上依次形成栅介质层、栅极层、阻挡层；

形成覆盖所述阻挡层的第一掩膜层并进行压印，形成具有第一图形的第一掩膜层，所述第一图形包括至少一个开口，所述开口定义出待形成栅极的线路末端之间的距离；

沉积抗反射层，所述抗反射层填满所述开口并覆盖所述第一掩膜层；

形成覆盖所述抗反射层的第二掩膜层并图形化，形成具有第二图形的第二掩膜层，所述第二图形定义出待形成栅极的线宽；

以具有所述第二图形的第二掩膜层为掩膜刻蚀所述抗反射层和第一掩膜层，形成具有第三图形的第一掩膜层；

以具有所述第三图形的第一掩膜层为掩膜，刻蚀所述阻挡层和栅极层形成栅极。

2.根据权利要求1所述的栅极的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜层的材料为镍。

3.根据权利要求1所述的栅极的形成方法，其特征在于，所述压印为激光辅助式纳米压印。

4.根据权利要求1所述的栅极的形成方法，其特征在于，所述开口为矩形或椭圆形。

5.根据权利要求1所述的栅极的形成方法，其特征在于，所述第二掩膜层的材料为光刻胶。

6.根据权利要求5所述的栅极的形成方法，其特征在于，所述以具有所述第二图形的第二掩膜层为掩膜刻蚀所述抗反射层和第一掩膜层，形成具有第三图形的第一掩膜层包括：以具有所述第二图形的第二掩膜层为掩膜对所述抗反射层和第一掩膜层进行干法刻蚀，形成具有第三图形的第一掩膜层；剥离所述第二掩膜层并去除其覆盖下的抗反射层。

7.根据权利要求1所述的栅极的形成方法，其特征在于，所述以具有所述第三图形的第一掩膜层为掩膜，刻蚀所述阻挡层和栅极层形成栅极包括：以具有所述第三图形的第一掩膜层为掩膜，对所述阻挡层和栅极层进行干法刻蚀形成栅极。

8.根据权利要求7所述的栅极的形成方法，其特征在于，所述栅极层为多晶硅层，刻蚀气体为六氟化硫、氧气、氩气的混合气体。

9.根据权利要求7所述的栅极的形成方法，其特征在于，所述栅极层为金属层或相变材料层，刻蚀气体为氯气、甲烷的混合气体或者氯气、三氟甲烷的混合气体。