[发明专利]切削刀具无效

专利信息
申请号: 201110044106.8 申请日: 2011-02-23
公开(公告)号: CN102189278A 公开(公告)日: 2011-09-21
发明(设计)人: 寺田圭介;石井隆博 申请(专利权)人: 株式会社迪思科
主分类号: B23B27/14 分类号: B23B27/14
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 党晓林;王小东
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 切削 刀具
【说明书】:

技术领域

本发明涉及一种切削刀具,其安装于切削装置的主轴,用于对被加工物进行切削。

背景技术

关于一般被称为切割机的切削装置,在主轴的前端安装支座凸缘,在该支座凸缘安装具有薄切削刃的切削刀具并利用螺母进行固定,该切削装置使用于这样的领域:将形成有IC(Integrated Circuit:集成电路)或者LSI(Large Scale Integration:大规模集成电路)等的硅晶片、形成有光波导等的铌酸锂(LN)等的陶瓷基板、树脂基板、玻璃板等切断,从而分割成一个个LSI芯片、电子器件或者光器件。

在使用于切削装置的切削刀具中,有被称为轮毂刀具的切削刀具。该轮毂刀具通过在圆形基座的外周电沉积切削刃而构成,其中,上述圆形基座具有为了容易把持(handling)而形成的圆形轮毂,上述切削刃通过将金刚石磨粒分散在镍母材中而形成。

将这样的切削刀具安装于主轴,并使切削刀具与主轴一起以大约20000~60000rpm的速度旋转,来切削晶片等被加工物,从而分割成一个个的器件等。

由于利用切削刀具进行的切削是通过细微的脆性破坏来完成的,所以在切削过的被加工物的外周会产生被称为崩碎(chipping)的微米级的细微缺口。由于这样的缺口有可能会降低被加工物的特性和抗弯强度等,因此希望将缺口抑制得尽可能小。一般来说,当使切削刀具高速旋转时,每1个磨粒的工作量减少,因此抑制了所产生的缺口的大小。

专利文献1:日本特开2009-206362号公报

另一方面,当使切削刀具高速旋转时,切削刀具因离心力而向切削刀具的外周方向伸长。然而,轮毂刀具的切削刃呈环状地形成于圆形基座的一侧面外周部,轮毂刀具的形状形成为圆形轮毂侧和切削刃侧不对称。

由此,当使轮毂刀具高速旋转时,切削刃部分的伸长量比具有圆形轮毂的基座部分的伸长量要大,其结果为,产生了切削刃向基座侧倾倒的现象。这样的现象虽然也与切削刀具的种类有关,但在60000rpm以上的高速旋转中特别明显。

如果在切削刃向基座侧倾倒的状态下进行切削,则会产生以下问题:发生由加工载荷的偏置所引起的崩碎的增大或切削刀具的曲折行进(蛇行)等,进而会使切削刀具或被加工物破损。

发明内容

本发明是鉴于这样的问题而完成的,其目的在于提供一种抑制切削时的曲折行进的发生、不会使被加工物或切削刀具自身破损的切削刀具。

根据本发明,提供一种切削刀具,该切削刀具安装在切削装置的主轴的前端部,并且该切削刀具至少具有:圆形基座,该圆形基座在一面侧一体地形成有圆形轮毂;和切削刃,该切削刃形成在上述圆形基座的作为与上述圆形轮毂相反的一侧的另一面侧的外周部,上述切削刀具的特征在于,上述圆形基座形成为:当该圆形基座被安装于上述主轴的前端部并高速旋转时,上述一面侧的离心力与作为该一面侧的相反面的上述另一面侧的离心力平衡。

根据本发明的切削刀具,圆形基座形成为:当切削刀具高速旋转时,形成有圆形轮毂的一面侧的离心力与作为该一面侧的相反面的另一面侧的离心力平衡,由此能够抑制曲折行进的发生,实现高速旋转下的切削加工,能够抑制切削时的崩碎的产生,并且能够防止切削刀具自身的破损。

附图说明

图1是切削装置的概要立体图。

图2是示出经切割带支承于环状框架的半导体晶片的图。

图3是表示将切削刀具安装于主轴的状况的分解立体图。

图4是表示支座凸缘安装结构的另一实施方式的分解立体图。

图5是现有的切削刀具的纵剖视图。

图6是本发明第一实施方式的纵剖视图。

图7是本发明第二实施方式的纵剖视图。

标号说明

2:切削装置;18:卡盘工作台;24:切削构件;26:主轴;28、28A、28B:切削刀具;46:圆形基座;48:圆形轮毂;50:切削刃;64:环状锪孔部;66:圆形锪孔部。

具体实施方式

下面,参照附图详细说明本发明的实施方式。图1表示能够切割半导体晶片以使其分割成一个个芯片(器件)的本发明实施方式所涉及的切削装置2的外观。

在切削装置2的前表面侧设置有操作构件4,该操作构件4用于由操作员输入加工条件等对装置的指示。在装置上部设置有CRT等显示构件6,该显示构件6显示对操作员的引导画面和由后述摄像构件拍摄到的图像。

如图2所示,在作为切割对象的晶片W的表面,正交地形成有第一间隔道S1和第二间隔道S2,大量器件D由第一间隔道S1和第二间隔道S2划分开来地形成在晶片W上。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社迪思科,未经株式会社迪思科许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110044106.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top