[发明专利]电容器及其制造方法无效
| 申请号: | 201110042434.4 | 申请日: | 2011-02-18 |
| 公开(公告)号: | CN102194570A | 公开(公告)日: | 2011-09-21 |
| 发明(设计)人: | 山本重克;细川孝夫 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号: | H01G4/228 | 分类号: | H01G4/228;H01G4/35 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 樊建中 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电容器 及其 制造 方法 | ||
1.一种电容器,包括:
电容器主体,其为长方体形状,由电介质构成,该电容器主体具有沿长度方向和宽度方向延展的第一主面以及第二主面、沿所述长度方向和高度方向延展的第一侧面以及第二侧面、和沿所述宽度方向和所述高度方向延展的第一端面以及第二端面;
第一内部电极,其形成在所述电容器主体的内部;
第二内部电极,其形成在所述电容器主体的内部,并与所述第一内部电极对置;
第一信号端子,其形成在所述第一端面上,并与所述第一内部电极连接;
第二信号端子,其形成在所述第二端面上,并与所述第一内部电极连接;以及
接地端子,其按照与所述第二内部电极连接的方式形成在所述第一侧面的一部分上,并与接地电位连接,
其中,所述接地端子具有形成在所述电容器主体上、且与所述第二内部电极直接连接的一个或多个镀膜。
2.如权利要求1所述的电容器,其中,
所述一个或多个镀膜是由湿式镀形成的湿式镀膜。
3.如权利要求1或2所述的电容器,其中,
该电容器是噪声滤波器。
4.如权利要求1~3中任意一项所述的电容器,其中,
所述第一信号端子以及第二信号端子与正电位连接。
5.如权利要求1~4中任意一项所述的电容器,其中,
所述接地端子不包含焙烧导电膜。
6.如权利要求1~5中任意一项所述的电容器,其中,
所述信号端子具有:
形成在所述电容器主体的外表面上、且与所述第一内部电极直接连接的一个或多个镀膜;以及
形成在所述一个或多个镀膜上、且含有玻璃成分的焙烧导电膜。
7.如权利要求1~5中任意一项所述的电容器,其中,
所述信号端子具有:
形成在所述电容器主体的外表面上、且与所述第一内部电极直接连接的含有玻璃成分的焙烧导电膜;以及
形成在所述焙烧导电膜上的一个或多个镀膜。
8.如权利要求6或7所述的电容器,其中,
所述焙烧导电膜包含Cu。
9.如权利要求1~8中任意一项所述的电容器,其中,
所述接地端子具有形成在所述第一主面以及第二主面上的部分,
所述第二内部电极包含:在所述高度方向上与所述第一内部电极对置的对置部、以及连接所述对置部和所述接地端子的连接部,
所述电容器还包括在所述高度方向上配置于所述第二内部电极的连接部与所述接地端子的位于所述第一主面或者第二主面上的部分之间的、与所述接地端子连接的接地虚拟电极。
10.如权利要求1~9中任意一项所述的电容器,其中,
与所述第二内部电极连接的镀膜由含有Cu的Cu镀膜构成。
11.如权利要求10所述的电容器,其中,
所述接地端子还具有:形成在所述Cu镀膜上且含有Ni的Ni镀膜;以及形成在所述Ni镀膜上且含有Sn的Sn镀膜。
12.如权利要求1~11中任意一项所述的电容器,其中,
所述第一内部电极以及第二内部电极由Ni构成。
13.一种电容器的制造方法,是权利要求1~12中任意一项所述的电容器的制造方法,
该电容器的制造方法包括:
在电介质板上印刷第一内部电极形成用导电性膏,并得到形成了所述第一内部电极形成用的导电膜的第一板的工序;
在电介质板上印刷第二内部电极形成用导电性膏,并得到形成了所述第二内部电极形成用的导电膜的第二板的工序;
通过对所述第一板、所述第二板、和未印刷导电性膏的电介质板进行层叠来形成层叠体的工序;
对所述层叠体进行焙烧的焙烧工序;
在所述层叠体上,按照与所述第一内部电极形成用的导电膜接触的方式涂敷导电膏的导电性膏涂敷工序;
对所述被涂敷的导电膏进行烘焙,以作为所述焙烧膜的烘焙工序;
在所述层叠体上,按照与所述第二内部电极形成用的导电膜接触的方式形成所述一个或多个镀膜的镀膜形成工序;以及
通过加热所述层叠体,从而在所述镀膜与所述第二内部电极形成用的导电膜之间的界面处,使所述镀膜和所述第二内部电极形成用的导电膜合金化的合金化工序。
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